id	author	title	date	pages	extension	mime	words	sentence	flesch	summary	cache	txt
gs-1952	Darsavelidze, Giorgi; Shamatava, Kakhaber; Sichinava, Avtandil; Kadaria, Marina; Abramishvili, Roman	Indentation induced structural changes in boron-doped silicon irradiated with electrons	2023	11	.pdf	application/pdf	2054	98	86	წნევის კონტაქტის სიღრმეზე დამოკიდებულება. ----●---- მაქსიმალური დატვირთვა 100მნ. ----∗---- მაქსიმალური დატვირთვა 50მნ. მაღალენერგეტიკული ელექტრონებით დასხივებას შეუძლია გამოიწვიოს სტრუქტურაში არსებული დისლოკაციური წარმოშობისა და რადიაციული დეფექტების ურთიერთქმედების ძალისა და ძვრადობის ცვლილებები. ეს გარემოება საცდელი ნიმუშის ინდენტირების პროცესებზე 100 მნ მაქსიმალურ დატვირთვაზე წარმოდგენილია ბაქანითა და ასევე ზუსტად ამაღლებული დატვირთვისა და საშუალო საკონტაქტო წნევის კრიტიკული მნიშვნელობებით. ექსპერიმენტულად დადგინდა, რომ საცდელი ნიმუშების (111) ზედაპირზე დრეკადობის მოდული სუსტად მცირდება ინდენტორზე მაქსიმალური დატვირთვის ამაღლებით 50 დან 100 მნ-მდე. მაღალ ენერგეტიკული ელექტრონებით დასხივება იწვევს დრეკადობის მოდულის სუსტად მატებას მაქსიმალური დატვირთვის ორივე შემთხვევაში. აღსანიშნავია, რომ ბორით ლეგირებული მონოკრისტალური Si-ის დრეკადობის მოდული ~10%-ით ნაკლებია არალეგირებული მონოკრისტალური სილიციუმის ასეთივე მექანიკურ მახასიათებლებზე პრაქტიკულად ნებისმიერი კრისტალოგრაფიული ორიენტაციისათვის მაქსიმალური დატვირთვა 100მნ. ----∗---- მაქსიმალური დატვირთვა 50მნ. საცდელი ნიმუშის ელექტრონებით დასხივების შემდეგ 100 მნ მაქსიმალური დატვირთვის პირობებში შეიმჩნევა არადრეკადი დეფორმაციის არეში დატვირთვის კრიტიკული მნიშვნელობისა და საშუალო საკონტაქტო	cache/gs-1952.pdf	txt/gs-1952.txt