id	sid	eid	entity	type
gs-1952	1	1	georgian	NORP
gs-1952	1	2	მეცნიერები	GPE
gs-1952	1	3	5	CARDINAL
gs-1952	1	4	2023 43	CARDINAL
gs-1952	1	5	georgian	NORP
gs-1952	1	6	მეცნიერები	GPE
gs-1952	2	1	5	CARDINAL
gs-1952	2	2	3	CARDINAL
gs-1952	2	3	2023	CARDINAL
gs-1952	2	4	დოპირებულ სილიციუმში	PERSON
gs-1952	2	5	დარსაველიძე1	WORK_OF_ART
gs-1952	2	6	ავთანდილ სიჭინავა1	PERSON
gs-1952	2	7	ქადარია1	PERSON
gs-1952	2	8	აბრამიშვილი1 1	ORG
gs-1952	2	9	სოხუმის	ORG
gs-1952	2	10	2	CARDINAL
gs-1952	3	1	111	CARDINAL
gs-1952	3	2	მიკროსტრუქტურის	GPE
gs-1952	3	3	ელექტროფიზიკური	PERSON
gs-1952	3	4	111	CARDINAL
gs-1952	3	5	12მევ	CARDINAL
gs-1952	3	6	ენერგიის ელექტრონებით დასხივება	EVENT
gs-1952	3	7	იწვევს კუთრი ელექტროწინაღობის	ORG
gs-1952	3	8	დენის	PERSON
gs-1952	3	9	მატარებელი	DATE
gs-1952	3	10	სპექტრში გამოვლენილია	GPE
gs-1952	3	11	2.5-3-ჯერ	CARDINAL
gs-1952	3	12	111	CARDINAL
gs-1952	3	13	მოდულისა	ORG
gs-1952	4	1	სუსტი	GPE
gs-1952	4	2	დოპირებულ სილიციუმში ელექტრონული	PERSON
gs-1952	4	3	წვლილი	ORG
gs-1952	4	4	ელექტროფიზიკური	TIME
gs-1952	4	5	მახასიათებლებში. გაანალიზებულია მონოკრისტალურ	ORG
gs-1952	5	1	georgian	NORP
gs-1952	5	2	მეცნიერები	GPE
gs-1952	5	3	5	CARDINAL
gs-1952	5	4	2023 44	DATE
gs-1952	5	5	ელექტროფიზიკური	PERSON
gs-1952	5	6	საკვანძო	ORG
gs-1952	5	7	სიტყვები	GPE
gs-1952	5	8	სილიციუმი	GPE
gs-1952	5	9	დრეკადობის მოდული	ORG
gs-1952	6	1	გამოიყენება	CARDINAL
gs-1952	6	2	აგრეთვე მოწამვლის ჩამკეტად	ORG
gs-1952	6	3	მიკროტექნიკური	GPE
gs-1952	6	4	წარმოებაში	GPE
gs-1952	7	1	1	CARDINAL
gs-1952	8	1	დოპირება ეფექტურად აბრკოლებს	GPE
gs-1952	8	2	გენერაციის წინა	ORG
gs-1952	10	1	2	CARDINAL
gs-1952	11	1	თეორიული კვლევებით. განხორციელდა მრავალმხრივი	ORG
gs-1952	11	2	დამოკიდებულებებზე სტრუქტურულ	PERSON
gs-1952	11	3	3	CARDINAL
gs-1952	12	1	სისტემატურმა ექსპერიმენტულმა კვლევებმა აჩვენეს	PERSON
gs-1952	12	2	მეტად წამახული ვიკერსისა	PERSON
gs-1952	12	3	ბერკოვიჩის	GPE
gs-1952	12	4	ინდენტორებით	DATE
gs-1952	13	1	გამოვლინება	FAC
gs-1952	13	2	ხდება. მეტად	PERSON
gs-1952	13	3	სიჩქარე	GPE
gs-1952	14	1	4,5	CARDINAL
gs-1952	16	1	გამოვლინება	TIME
gs-1952	16	2	მიანიშნებს si-ii	PERSON
gs-1952	16	3	si-iii/si-xii	PERSON
gs-1952	17	1	5	CARDINAL
gs-1952	18	1	სიჩქარით	PERSON
gs-1952	19	1	2	CARDINAL
gs-1952	20	1	3.5	CARDINAL
gs-1952	21	1	მასზე გავლენას	PERSON
gs-1952	21	2	3,5	CARDINAL
gs-1952	23	1	სტრუქტურაში დენის	PERSON
gs-1952	23	2	მატარებელი	DATE
gs-1952	24	1	6	CARDINAL
gs-1952	25	1	სავალენტო ბმების ნაწილობრივი	PERSON
gs-1952	25	2	georgian	GPE
gs-1952	25	3	მეცნიერები	GPE
gs-1952	25	4	5	CARDINAL
gs-1952	26	1	2023 45	DATE
gs-1952	26	2	გავლენა	GPE
gs-1952	26	3	111	CARDINAL
gs-1952	27	1	დოპირებულ მონოკრისტალურ	PERSON
gs-1952	27	2	1015სმ-3	CARDINAL
gs-1952	27	3	111	CARDINAL
gs-1952	27	4	მათი ორმხრივი	ORG
gs-1952	27	5	ბოლო ეტაპზე განხორციელდა ულტრაბგერით დამუშავება	ORG
gs-1952	27	6	20	CARDINAL
gs-1952	27	7	5%hf-ში	CARDINAL
gs-1952	27	8	დეიონიზებულ	PERSON
gs-1952	27	9	მიკროსტრუქტურის	ORG
gs-1952	27	10	მეტალოგრაფიულ	PRODUCT
gs-1952	27	11	ელექტროფიზიკური	PERSON
gs-1952	28	1	0.5	CARDINAL
gs-1952	28	2	ტესლა	GPE
gs-1952	28	3	მაგნიტურ ველში ecopia	ORG
gs-1952	28	4	hms-3500	DATE
gs-1952	28	5	3	CARDINAL
gs-1952	28	6	განხორციელდა cary	ORG
gs-1952	28	7	600	CARDINAL
gs-1952	28	8	ftir სპექტრომეტრზე.	LOC
gs-1952	28	9	211s	QUANTITY
gs-1952	28	10	ინდენტორის დატვირთვისა	ORG
gs-1952	28	11	ყოველ მაქსიმალურ დატვირთვაზე	ORG
gs-1952	28	12	10	DATE
gs-1952	28	13	ინდენტორის განტვირთვის ბოლო	ORG
gs-1952	28	14	მდგომარეობაში	GPE
gs-1952	28	15	5	CARDINAL
gs-1952	28	16	ინდენტირებით აღძრული	PERSON
gs-1952	29	1	მნიშვნელობები	ORG
gs-1952	29	2	განისაზღვრა მეთოდით	PERSON
gs-1952	29	3	8	CARDINAL
gs-1952	29	4	თეორიული	GPE
gs-1952	29	5	საფუძველზე	DATE
gs-1952	30	1	9	CARDINAL
gs-1952	31	1	12	CARDINAL
gs-1952	31	2	ენერგიის ელექტრონებით	GPE
gs-1952	31	3	განსჯა საწყის	ORG
gs-1952	31	4	მდგომარეობაში p-si-ის	GPE
gs-1952	31	5	111	CARDINAL
gs-1952	31	6	ორიენტაციის ფუძეშრეები	ORG
gs-1952	31	7	სიმკვრივე იცვლება	GPE
gs-1952	31	8	1∙103 5∙103	CARDINAL
gs-1952	31	9	პრაქტიკულად გავლენას	PERSON
gs-1952	31	10	111	CARDINAL
gs-1952	31	11	სილიციუმის კრისტალური მესრის დაძაბულ არეებში	ORG
gs-1952	31	12	georgian	NORP
gs-1952	31	13	მეცნიერები	GPE
gs-1952	31	14	5	CARDINAL
gs-1952	31	15	2023 46	DATE
gs-1952	32	1	შთანთქმისა	GPE
gs-1952	34	1	შემცირება	DATE
gs-1952	34	2	პირველად რადიაციულ	PERSON
gs-1952	35	1	cics	ORG
gs-1952	35	2	ელექტროფიზიკური მახასიათებლების	PERSON
gs-1952	35	3	1013სმ-2	CARDINAL
gs-1952	35	4	დენის	GPE
gs-1952	35	5	მატარებელი	DATE
gs-1952	35	6	რადიაციულ დეფექტებზე	PERSON
gs-1952	35	7	20%-მდე	CARDINAL
gs-1952	35	8	გავლენა p-si-ის ელექტროფიზიკურ და ოპტიკურ	ORG
gs-1952	36	1	100	CARDINAL
gs-1952	36	2	სმ-2	NORP
gs-1952	36	3	3∙103 9,6	CARDINAL
gs-1952	36	4	650	CARDINAL
gs-1952	36	5	7∙1016	CARDINAL
gs-1952	36	6	ელექტრონებ ით	PERSON
gs-1952	36	7	4∙103 3,5	CARDINAL
gs-1952	37	1	საწყის	NORP
gs-1952	37	2	ნიმუშზე ინდენტორის	PERSON
gs-1952	37	3	50	CARDINAL
gs-1952	37	4	100	CARDINAL
gs-1952	38	1	რაც	ORG
gs-1952	38	2	ინდენტორის	GPE
gs-1952	39	1	georgian	NORP
gs-1952	39	2	მეცნიერები	GPE
gs-1952	39	3	5	CARDINAL
gs-1952	39	4	2023 47	DATE
gs-1952	40	1	100მნ.	CARDINAL
gs-1952	40	2	მაქსიმალური დატვირთვის შემთხვევაში	GPE
gs-1952	40	3	ბაქანის	ORG
gs-1952	40	4	რომელზედაც	GPE
gs-1952	40	5	მახასიათებელ	ORG
gs-1952	40	6	გაზრდა	ORG
gs-1952	40	7	ბაქანის	ORG
gs-1952	40	8	სუსტი	GPE
gs-1952	40	9	100	CARDINAL
gs-1952	40	10	მაქსიმალური დატვირთვის	GPE
gs-1952	40	11	georgian	NORP
gs-1952	40	12	მეცნიერები	GPE
gs-1952	40	13	5	CARDINAL
gs-1952	40	14	2023 48	DATE
gs-1952	40	15	2	CARDINAL
gs-1952	42	1	100მნ.	CARDINAL
gs-1952	42	2	50მნ	CARDINAL
gs-1952	42	3	ყოველი	PRODUCT
gs-1952	42	4	7	CARDINAL
gs-1952	43	1	50	CARDINAL
gs-1952	43	2	მაქსიმალურ დატვირთვაზე	PERSON
gs-1952	43	3	0.25-0.40	MONEY
gs-1952	43	4	3,5-4,0	CARDINAL
gs-1952	43	5	georgian	NORP
gs-1952	43	6	მეცნიერები	GPE
gs-1952	43	7	5	CARDINAL
gs-1952	43	8	2023 49	DATE
gs-1952	44	1	3	CARDINAL
gs-1952	44	2	მონოკრისტალური p-si-ის	PERSON
gs-1952	44	3	100მნ.	CARDINAL
gs-1952	44	4	50მნ.	CARDINAL
gs-1952	44	5	100	CARDINAL
gs-1952	44	6	არეში დატვირთვის კრიტიკული	GPE
gs-1952	45	1	სუსტი	GPE
gs-1952	46	1	georgian	NORP
gs-1952	46	2	მეცნიერები	GPE
gs-1952	46	3	5	CARDINAL
gs-1952	46	4	2023 50	DATE
gs-1952	46	5	4	CARDINAL
gs-1952	46	6	12	CARDINAL
gs-1952	46	7	ენერგიის ელექტრონებით	GPE
gs-1952	46	8	მონოკრისტალური p-si-ის	PERSON
gs-1952	47	1	100მნ.	CARDINAL
gs-1952	47	2	50მნ.	CARDINAL
gs-1952	47	3	გამოიწვიოს სტრუქტურაში არსებული დისლოკაციური წარმოშობისა	ORG
gs-1952	49	1	ასევე ზუსტად ამაღლებული დატვირთვისა	ORG
gs-1952	49	2	ექსპერიმენტულად დადგინდა	GPE
gs-1952	49	3	111	CARDINAL
gs-1952	49	4	ზედაპირზე დრეკადობის	ORG
gs-1952	49	5	მოდული სუსტად	ORG
gs-1952	49	6	ინდენტორზე მაქსიმალური დატვირთვის ამაღლებით	PERSON
gs-1952	49	7	50	CARDINAL
gs-1952	49	8	100	CARDINAL
gs-1952	49	9	მოდულის	DATE
gs-1952	49	10	მაქსიმალური დატვირთვის	PERSON
gs-1952	51	1	10	CARDINAL
gs-1952	52	1	104-5∙104	CARDINAL
gs-1952	52	2	სიმკვრივის დისლოკაციებს	PERSON
gs-1952	52	3	იქმნება	GPE
gs-1952	52	4	მოდულის	DATE
gs-1952	53	1	ინდენტორის განტვირთვის	ORG
gs-1952	53	2	2	CARDINAL
gs-1952	53	3	111	CARDINAL
gs-1952	53	4	სიჩქარე	GPE
gs-1952	53	5	მნ/წმ	CARDINAL
gs-1952	53	6	მნ	CARDINAL
gs-1952	53	7	50 13.24	CARDINAL
gs-1952	53	8	4.0 1.76	CARDINAL
gs-1952	53	9	13.24	CARDINAL
gs-1952	53	10	12 3.5	CARDINAL
gs-1952	53	11	4.5 1.83	CARDINAL
gs-1952	53	12	100	CARDINAL
gs-1952	53	13	20-25 4.0-4.5 1.73	TIME
gs-1952	53	14	13.24	CARDINAL
gs-1952	53	15	georgian	NORP
gs-1952	53	16	მეცნიერები	GPE
gs-1952	53	17	5	CARDINAL
gs-1952	53	18	2023 51	DATE
gs-1952	53	19	მეთოდით მიღებულ	PERSON
gs-1952	53	20	o	DATE
gs-1952	53	21	რადიაციული დეფექტებით დისლოკაციების	ORG
gs-1952	53	22	სტრუქტურა	ORG
gs-1952	53	23	პროცესში დრეკადობის	ORG
gs-1952	53	24	მოდულის	DATE
gs-1952	53	25	გამრუდება	GPE
gs-1952	53	26	გარდაქმნებით	PERSON
gs-1952	53	27	50	CARDINAL
gs-1952	53	28	მხოლოდ მდორე	PERSON
gs-1952	53	29	გამრუდება	GPE
gs-1952	53	30	რომელიც შესაძლებელია დაკავშირებულია	PERSON
gs-1952	53	31	სილიციუმის β-კალის მოდიფიკაციიდან ამორფული ფაზური მდგენელის ფორმირებასთან	ORG
gs-1952	54	1	5	CARDINAL
gs-1952	54	2	საწყის	NORP
gs-1952	54	3	მდგომარეობაში	GPE
gs-1952	54	4	განსაკუთრებით	GPE
gs-1952	55	1	11	CARDINAL
gs-1952	55	2	გამოვლინება დაკავშირებულია სილიციუმის	EVENT
gs-1952	55	3	რაოდენობით si-iii	PERSON
gs-1952	55	4	მნიშვნელობები შედარებით მცირეა	ORG
gs-1952	55	5	12	CARDINAL
gs-1952	56	1	საკონტაქტო წნევის	PERSON
gs-1952	56	2	სტიმულირდება	ORG
gs-1952	56	3	დენის	PERSON
gs-1952	56	4	მატარებელი	DATE
gs-1952	56	5	ატომებს შორის	PERSON
gs-1952	56	6	არსებულ	PERSON
gs-1952	56	7	ლოკალიზებულ დეფორმაციას b-ის	ORG
gs-1952	56	8	მახლობლობაში	GPE
gs-1952	56	9	სადაც მცირდება	ORG
gs-1952	58	1	ასეთ	GPE
gs-1952	59	1	ქვესისტემაში	GPE
gs-1952	60	1	სტრუქტურაში	GPE
gs-1952	60	2	georgian	NORP
gs-1952	60	3	მეცნიერები	GPE
gs-1952	60	4	5	CARDINAL
gs-1952	60	5	2023 52	DATE
gs-1952	62	1	93	DATE
gs-1952	62	2	2003	DATE
gs-1952	62	3	2418	CARDINAL
gs-1952	62	4	li chang	PERSON
gs-1952	62	5	liangchi zhang	PERSON
gs-1952	63	1	j. mater sci.	PERSON
gs-1952	63	2	a506	ORG
gs-1952	63	3	2009	DATE
gs-1952	63	4	125	CARDINAL
gs-1952	64	1	3	CARDINAL
gs-1952	65	1	c.r.das	PRODUCT
gs-1952	67	1	96	CARDINAL
gs-1952	68	1	2010	DATE
gs-1952	68	2	253113-1-25313 4	DATE
gs-1952	69	1	y.g.gogotsi	PERSON
gs-1952	72	1	1997	DATE
gs-1952	72	2	3057-3063	CARDINAL
gs-1952	73	1	5	CARDINAL
gs-1952	74	1	19	CARDINAL
gs-1952	74	2	no 10 (2004	DATE
gs-1952	74	3	3099-3108	DATE
gs-1952	75	1	6	CARDINAL
gs-1952	75	2	l.c.zhang	GPE
gs-1952	76	1	j.acta materialia	GPE
gs-1952	76	2	57	DATE
gs-1952	76	3	2009	DATE
gs-1952	76	4	2148-2153	CARDINAL
gs-1952	77	1	7	CARDINAL
gs-1952	79	1	2003	DATE
gs-1952	79	2	1192-1201	CARDINAL
gs-1952	80	1	8	CARDINAL
gs-1952	82	1	7	CARDINAL
gs-1952	82	2	1992	DATE
gs-1952	82	3	1564-1583	CARDINAL
gs-1952	83	1	9	CARDINAL
gs-1952	84	1	j.superhard.	PERSON
gs-1952	85	1	19960	DATE
gs-1952	86	1	10	CARDINAL
gs-1952	87	1	841-872	CARDINAL
gs-1952	87	2	11	CARDINAL
gs-1952	87	3	s.wang	GPE
gs-1952	87	4	b.haberl	GPE
gs-1952	87	5	106	CARDINAL
gs-1952	87	6	252.103	CARDINAL
gs-1952	87	7	2015	CARDINAL
gs-1952	87	8	12	CARDINAL
gs-1952	89	1	j app	PERSON
gs-1952	90	1	n16	ORG
gs-1952	90	2	2000	DATE
gs-1952	90	3	2214	CARDINAL
gs-1952	90	4	georgian	NORP
gs-1952	90	5	მეცნიერები	GPE
gs-1952	90	6	5	CARDINAL
gs-1952	90	7	2023 53	DATE
gs-1952	90	8	darsavelidze1	ORG
gs-1952	90	9	kakhaber shamatava1,2	GPE
gs-1952	90	10	sichinava1	ORG
gs-1952	90	11	kadaria1	PERSON
gs-1952	90	12	1	CARDINAL
gs-1952	90	13	ilia vekua sukhumi institute	PERSON
gs-1952	90	14	2	CARDINAL
gs-1952	90	15	sokhumi state university	ORG
gs-1952	90	16	111	CARDINAL
gs-1952	91	1	12	CARDINAL
gs-1952	91	2	cm-2	ORG
gs-1952	91	3	3	CARDINAL
gs-1952	91	4	20%	PERCENT
gs-1952	92	1	2,5	CARDINAL
gs-1952	93	1	111	CARDINAL