id	sid	eid	entity	type
gs-3455	1	1	microsoft	ORG
gs-3455	1	2	fullpdf07012025	GPE
gs-3455	1	3	georgian	GPE
gs-3455	1	4	მეცნიერები	GPE
gs-3455	1	5	7	CARDINAL
gs-3455	1	6	367	CARDINAL
gs-3455	1	7	georgian	NORP
gs-3455	1	8	მეცნიერები	GPE
gs-3455	1	9	7	CARDINAL
gs-3455	1	10	1	CARDINAL
gs-3455	1	11	2025	CARDINAL
gs-3455	1	12	გავლენა p-ტიპის si+2ატ.%ge	ORG
gs-3455	1	13	p-n	PRODUCT
gs-3455	1	14	მონოკრისტალური si+2ატ.%ge	ORG
gs-3455	1	15	111	CARDINAL
gs-3455	1	16	ელექტროფიზიკური	PERSON
gs-3455	1	17	ნაწილაკებით დასხივებულ	GPE
gs-3455	1	18	საწყის	NORP
gs-3455	1	19	მოკლე ჩართვის	ORG
gs-3455	1	20	სვლის	GPE
gs-3455	1	21	სუსტი	GPE
gs-3455	1	22	რადიაციის გავლენით p	ORG
gs-3455	1	23	დენის არაძირითადი მატარებლების სიცოცხლის	ORG
gs-3455	2	1	შესაძლებელი შემცირებით.	DATE
gs-3455	3	1	ელექტროფიზიკური	PERSON
gs-3455	3	2	მოკლე ჩართვის დენი	ORG
gs-3455	3	3	georgian	NORP
gs-3455	3	4	მეცნიერები	GPE
gs-3455	3	5	7	CARDINAL
gs-3455	3	6	368	CARDINAL
gs-3455	3	7	სილიციუმი წარმოადგენს	ORG
gs-3455	3	8	მკაფიოდ	ORG
gs-3455	5	1	1	CARDINAL
gs-3455	6	1	თხელი	PERSON
gs-3455	6	2	სიმტკიცის	DATE
gs-3455	6	3	დოპირება იზოვალენტური	GPE
gs-3455	6	4	2	CARDINAL
gs-3455	7	1	3	CARDINAL
gs-3455	8	1	დოპირებული სილიციუმის	PERSON
gs-3455	8	2	შესაძლებელ მექანიზმად განიხილავენ	ORG
gs-3455	8	3	მეზობელ	ORG
gs-3455	8	4	კოორდინაციაში	ORG
gs-3455	8	5	ატომებს	PERSON
gs-3455	8	6	4	CARDINAL
gs-3455	9	1	მდგომარეობისა	GPE
gs-3455	9	2	ელექტროფიზიკური	GPE
gs-3455	10	1	განსაკუთრებული მნიშვნელობა	ORG
gs-3455	10	2	მონოკრისტალური si-ge	PERSON
gs-3455	10	3	სხვადასხვა ფაქტორით	PERSON
gs-3455	10	4	რადიაციული ზემოქმედება	ORG
gs-3455	10	5	ნაშრომში შესწავლილია ჩოხრალსკის მეთოდით	ORG
gs-3455	11	1	111	CARDINAL
gs-3455	11	2	მონოკრისტალური p-ტიპის si+2ატ.%ge	ORG
gs-3455	11	3	ელექტროფიზიკური	PERSON
gs-3455	11	4	საწყის	NORP
gs-3455	11	5	ნაწილაკებით დასხივებულ	GPE
gs-3455	11	6	111	CARDINAL
gs-3455	11	7	sige	GPE
gs-3455	11	8	სიგრძე	ORG
gs-3455	11	9	დაჭრის	GPE
gs-3455	11	10	ხეხვისა	GPE
gs-3455	11	11	0,5-0,6	QUANTITY
gs-3455	11	12	განხორციელდა 1100ºc ტემპერატურაზე	ORG
gs-3455	11	13	20	CARDINAL
gs-3455	11	14	განმავლობაში ფოსფორის დიფუზიით	PERSON
gs-3455	11	15	მოცულობიდან.	DATE
gs-3455	11	16	ზედაპირზე ელექტრული	FAC
gs-3455	11	17	ალუმინის	NORP
gs-3455	11	18	აორთქლებით	GPE
gs-3455	11	19	georgian	NORP
gs-3455	11	20	მეცნიერები	GPE
gs-3455	11	21	7	CARDINAL
gs-3455	11	22	369 ბადისებური n-ტიპის	QUANTITY
gs-3455	11	23	5,4	CARDINAL
gs-3455	11	24	ნაწილაკებით	GPE
gs-3455	11	25	განხორციელდა am-241 წყაროს გამოყენებით.	ORG
gs-3455	12	1	განხორციელდა ecopia-3000	ORG
gs-3455	12	2	2400	CARDINAL
gs-3455	12	3	საწყის	NORP
gs-3455	12	4	ელექტრულ ენერგიად გარდაქმნის	ORG
gs-3455	13	1	p-ტიპის si+2ატ.%ge	ORG
gs-3455	13	2	1	CARDINAL
gs-3455	13	3	2	CARDINAL
gs-3455	13	4	5.1011	CARDINAL
gs-3455	13	5	3	CARDINAL
gs-3455	13	6	რადიაციის	ORG
gs-3455	13	7	1.1012სმ-2 4	DATE
gs-3455	13	8	რადიაცუიის	ORG
gs-3455	13	9	6.1012	CARDINAL
gs-3455	13	10	ავლენენ	ORG
gs-3455	13	11	ცხად დამოკიდებულებას ალფა	ORG
gs-3455	13	12	სტრუქტურა შეიცავს კრისტალიზაციისა	ORG
gs-3455	14	1	georgian	GPE
gs-3455	14	2	მეცნიერები	GPE
gs-3455	14	3	7	CARDINAL
gs-3455	14	4	1	CARDINAL
gs-3455	14	5	370	CARDINAL
gs-3455	14	6	მეთოდით მიღებულ	PERSON
gs-3455	14	7	გარემომცველი ატმოსფეროს	FAC
gs-3455	14	8	სუსტი	GPE
gs-3455	14	9	ამაღლებით	PERSON
gs-3455	14	10	აამაღლებს დენის არაძირითადი	ORG
gs-3455	14	11	შეამცირებს მათი	ORG
gs-3455	14	12	სიცოცხლის	DATE
gs-3455	14	13	ხანგრძლივობას. p-n	ORG
gs-3455	14	14	გამომდინარე	GPE
gs-3455	14	15	si-ge	ORG
gs-3455	14	16	მართვისა	ORG
gs-3455	15	1	ფართო	NORP
gs-3455	15	2	რადიაციის	ORG
gs-3455	15	3	ელექტროფიზიკური მახასიათებლების ექსტრემალური	PERSON
gs-3455	16	1	გრაფიკებიდან	DATE
gs-3455	16	2	დენის ძალისა	ORG
gs-3455	17	1	1	CARDINAL
gs-3455	17	2	2	CARDINAL
gs-3455	17	3	5.1011	CARDINAL
gs-3455	17	4	georgian	NORP
gs-3455	17	5	მეცნიერები	GPE
gs-3455	17	6	7	CARDINAL
gs-3455	17	7	1	CARDINAL
gs-3455	17	8	371 3	CARDINAL
gs-3455	18	1	რადიაციის	ORG
gs-3455	18	2	1.1012სმ-2 4	DATE
gs-3455	19	1	რადიაცუიის	ORG
gs-3455	19	2	6.1012	CARDINAL
gs-3455	19	3	დენის ძალის	PERSON
gs-3455	19	4	მ.ქ.კ.	GPE
gs-3455	19	5	საფუძველზე	PERSON
gs-3455	20	1	5	CARDINAL
gs-3455	24	1	სადაც vmax	PERSON
gs-3455	24	2	imax წარმოადგენენ	PERSON
gs-3455	24	3	ძაბვისა	DATE
gs-3455	24	4	დენის	GPE
gs-3455	24	5	მაქსიმალურ მნიშვნელობებს.	PERSON
gs-3455	24	6	სხვადასხვა ფლუენსით	ORG
gs-3455	24	7	1	CARDINAL
gs-3455	25	1	ცხრილი1	PERSON
gs-3455	26	1	რადიაციის	ORG
gs-3455	26	2	სმ-2 voc	ORG
gs-3455	26	3	მვ isc	GPE
gs-3455	26	4	2.1012 470 35.20	MONEY
gs-3455	26	5	2.44	CARDINAL
gs-3455	26	6	7.03 2.9	CARDINAL
gs-3455	26	7	ნაწილაკებით დასხივებული si+2ატ.%ge	ORG
gs-3455	26	8	მახასიათებელ	GPE
gs-3455	26	9	georgian	NORP
gs-3455	26	10	მეცნიერები	GPE
gs-3455	26	11	7	CARDINAL
gs-3455	27	1	sige p-n	PERSON
gs-3455	27	2	voc	ORG
gs-3455	27	3	ფლუენსზე ალფა რადიაციის ფლუენსის განსაზღვრულ დიაპაზონში ექსპერიმენტული p-n	ORG
gs-3455	27	4	პარამეტრი თავისებური კანონზომიერებით იცვლება.	PERSON
gs-3455	27	5	მნიშვნელობები	ORG
gs-3455	28	1	სუსტი	GPE
gs-3455	28	2	6	CARDINAL
gs-3455	28	3	დენის არაძირითადი მახასიათებლების	ORG
gs-3455	28	4	სიცოცხლის	DATE
gs-3455	28	5	რადიაციის გავლენით	ORG
gs-3455	29	1	დენის	GPE
gs-3455	29	2	სიდიდეებს. დენის	DATE
gs-3455	29	3	როგორც	ORG
gs-3455	29	4	ცენტრები.	ORG
gs-3455	30	1	მათი რეკომბინაციის სიჩქარის ამაღლება	ORG
gs-3455	30	2	ამცირებს დენის არაძირითადი	ORG
gs-3455	30	3	სიცოცხლის	GPE
gs-3455	31	1	7	CARDINAL
gs-3455	32	1	სილიციუმზე შექმნილი მზის ელემენტის	PERSON
gs-3455	32	2	si+2ატ.%ge	ORG
gs-3455	32	3	რადიაციულ დეფექტებზე დენის არაძირითადი	ORG
gs-3455	32	4	გაბნევა.	GPE
gs-3455	32	5	georgian	NORP
gs-3455	32	6	მეცნიერები	GPE
gs-3455	32	7	7	CARDINAL
gs-3455	32	8	2025	CARDINAL
gs-3455	32	9	373	CARDINAL
gs-3455	32	10	1	CARDINAL
gs-3455	33	1	p. rupnowski	PERSON
gs-3455	35	1	international journal of fracture 155, 67–74 (	ORG
gs-3455	35	2	2009	DATE
gs-3455	37	1	jiahe chen	PERSON
gs-3455	37	2	deren yang	PERSON
gs-3455	37	3	xiangyang ma	PERSON
gs-3455	37	4	zhidan zeng	PERSON
gs-3455	37	5	daxi tian	PERSON
gs-3455	37	6	liben li	PERSON
gs-3455	37	7	duanlin que	PERSON
gs-3455	37	8	longfei gong	PERSON
gs-3455	38	1	103	CARDINAL
gs-3455	38	2	12	CARDINAL
gs-3455	38	3	123521	CARDINAL
gs-3455	40	1	xuegong yu	PERSON
gs-3455	40	2	peng wang	PERSON
gs-3455	40	3	deren yang	PERSON
gs-3455	42	1	162107-1	DATE
gs-3455	42	2	162107-3	DATE
gs-3455	42	3	2010	DATE
gs-3455	42	4	4	CARDINAL
gs-3455	43	1	deren yang	PERSON
gs-3455	43	2	jiahe chen	PERSON
gs-3455	43	3	hong li	PERSON
gs-3455	43	4	xiangyang ma	PERSON
gs-3455	43	5	daxi tian	PERSON
gs-3455	43	6	liben li	PERSON
gs-3455	43	7	duanli que	PERSON
gs-3455	43	8	ge	ORG
gs-3455	44	1	journal of crystal	ORG
gs-3455	44	2	292(2	CARDINAL
gs-3455	44	3	266-271	CARDINAL
gs-3455	44	4	2006	DATE
gs-3455	45	1	5	CARDINAL
gs-3455	46	1	davud mostafa tobnaghi	PERSON
gs-3455	46	2	ali rahnamaei	PERSON
gs-3455	48	1	2824-2831	CARDINAL
gs-3455	48	2	2014	DATE
gs-3455	49	1	khumar ali	PERSON
gs-3455	49	2	sohail a. khan	PERSON
gs-3455	49	3	m. z. matjafri	PERSON
gs-3455	50	1	8	CARDINAL
gs-3455	50	2	2013	DATE
gs-3455	51	1	7	CARDINAL
gs-3455	51	2	j. kuendig	PERSON
gs-3455	51	3	m. goetz	PERSON
gs-3455	51	4	a. shah	PERSON
gs-3455	51	5	e. fernandez	PERSON
gs-3455	53	1	79(4	CARDINAL
gs-3455	53	2	425-438	CARDINAL
gs-3455	53	3	2003	DATE
gs-3455	54	1	georgian	NORP
gs-3455	54	2	მეცნიერები	GPE
gs-3455	54	3	7	CARDINAL
gs-3455	54	4	374	CARDINAL
gs-3455	54	5	at.% ge	PERSON
gs-3455	54	6	ia kurashvili	GPE
gs-3455	54	7	nino kitoshvili	PERSON
gs-3455	54	8	avtandil sichinava	PERSON
gs-3455	54	9	giorgi darsavelidze ilia vekua sukhumi institute of physics	PERSON
gs-3455	54	10	tbilisi	GPE
gs-3455	54	11	georgia	GPE
gs-3455	59	1	ge	ORG
gs-3455	60	1	si-ge	ORG