id	sid	eid	entity	type
gs-736	1	1	georgian	NORP
gs-736	1	2	მეცნიერები	GPE
gs-736	1	3	4	CARDINAL
gs-736	1	4	georgian	NORP
gs-736	1	5	მეცნიერები	GPE
gs-736	1	6	4	CARDINAL
gs-736	1	7	1	CARDINAL
gs-736	1	8	2022	CARDINAL
gs-736	1	9	https://doi.org/10.52340/gs.2022.04.01.07 მექანიკური	FAC
gs-736	1	10	გავლენა მონოკრისტალური p-sige	FAC
gs-736	1	11	1ელ-ფოსტა	CARDINAL
gs-736	1	12	გავლენა მონოკრისტალური p-sige	FAC
gs-736	1	13	სხვადასხვა დისპერსულობის	PERSON
gs-736	1	14	ალმასის	ORG
gs-736	1	15	მაპოლირებელი კომპოზიციით დამუშავებული sige	ORG
gs-736	1	16	111	CARDINAL
gs-736	1	17	ძვრის მოდულის	LOC
gs-736	1	18	არამონოტონური	GPE
gs-736	1	19	პროცესში წარმოქმნილი დეფექტები ურთიერთქმედებენ	ORG
gs-736	1	20	ბორისა	GPE
gs-736	1	21	მესერში არსებული ნახშირბადისა	ORG
gs-736	1	22	ci-cs	PERSON
gs-736	1	23	ci-oi	PERSON
gs-736	1	24	111	CARDINAL
gs-736	1	25	სიბრტყეებზე ელექტროფიზიკური	PERSON
gs-736	1	26	ხახუნი	GPE
gs-736	1	27	ძვრის მოდული	GPE
gs-736	2	1	georgian	NORP
gs-736	2	2	მეცნიერები	GPE
gs-736	2	3	4	CARDINAL
gs-736	2	4	2022	CARDINAL
gs-736	2	5	66	CARDINAL
gs-736	3	1	მახასიათებლების	ORG
gs-736	3	2	კომპლექსური შესწავლის საფუძველზე შესაძლებელია დადგინდეს ნახევარგამტარული პროფილირებული ნიმუშების	ORG
gs-736	4	1	მდგომარეობისა	GPE
gs-736	4	2	ელექტროფიზიკური	PERSON
gs-736	5	1	1,2	CARDINAL
gs-736	6	1	რითაც შესაძლებელია შეიქმნას	ORG
gs-736	6	2	3,4	CARDINAL
gs-736	7	1	ნახევარგამტარული sige	ORG
gs-736	7	2	ანალოგიური	PERSON
gs-736	7	3	არის.	DATE
gs-736	7	4	წინამდებარე ნაშრომში	GPE
gs-736	7	5	ელექტროფიზიკური მახასიათებლების	PERSON
gs-736	8	1	ვანდერ პაუს მეთოდით	FAC
gs-736	8	2	ელექტროფიზიკური მახასიათებლების	PERSON
gs-736	8	3	დენის	PERSON
gs-736	8	4	მნიშვნელობები	ORG
gs-736	8	5	ინფრაწითელი	FAC
gs-736	8	6	სიხშირის რეგისტრაციით განსაზღვრულია	ORG
gs-736	9	1	ხახუნის	GPE
gs-736	9	2	ძვრის დინამიური მოდულის	LOC
gs-736	9	3	განხორციელდა ecopia hms-3000	ORG
gs-736	9	4	111	CARDINAL
gs-736	9	5	0,5 მმ სისქის	QUANTITY
gs-736	9	6	დენის	ORG
gs-736	9	7	კონცენტრაციის	NORP
gs-736	9	8	დისპერსულობაზე.	GPE
gs-736	10	1	georgian	NORP
gs-736	10	2	მეცნიერები	GPE
gs-736	10	3	4	CARDINAL
gs-736	11	1	დენის მატარებლების კონცენტრაციის დამოკიდებულება მაპოლირებელი	ORG
gs-736	11	2	1	CARDINAL
gs-736	12	1	2p-si+2,5ატ. %	MONEY
gs-736	12	2	დენის	PERSON
gs-736	12	3	მატარებელი	DATE
gs-736	12	4	0	CARDINAL
gs-736	12	5	დისპერსულობის მასალით	ORG
gs-736	12	6	ლოკალიზებულ	PERSON
gs-736	12	7	მიკრობზარების წარმოქმნა. მიკრობზარები	QUANTITY
gs-736	14	1	ქმნის დენის	ORG
gs-736	14	2	1,5-2,5ატ.%	CARDINAL
gs-736	14	3	პროცენტული შემცველობის	ORG
gs-736	14	4	ცვლილება	DATE
gs-736	14	5	1	CARDINAL
gs-736	14	6	ელექტროფიზიკური მახასიათებლების დამოკიდებულება	PERSON
gs-736	14	7	დისპერსულობაზე.	PERSON
gs-736	14	8	111	CARDINAL
gs-736	15	1	ორიენტაციის p-si+2ატ.%ge	ORG
gs-736	15	2	ელექტროფიზიკური მახასიათებლების დამოკიდებულება	PERSON
gs-736	15	3	დისპერსულობაზე. georgian	GPE
gs-736	15	4	მეცნიერები	GPE
gs-736	15	5	4	CARDINAL
gs-736	15	6	2022	CARDINAL
gs-736	15	7	ცხრილი1	PRODUCT
gs-736	15	8	დენის	PERSON
gs-736	16	1	3.39	CARDINAL
gs-736	16	2	220	CARDINAL
gs-736	16	3	3.27	CARDINAL
gs-736	16	4	3.14	CARDINAL
gs-736	16	5	6.84.1015 3.62 5,0	MONEY
gs-736	16	6	3.27	CARDINAL
gs-736	16	7	სიხშირის რეგისტრაცია განხორციელდა	ORG
gs-736	16	8	მექანიკურ რელაქსატორზე	PERSON
gs-736	17	1	0,8x0,8x(25-30)მმ3	CARDINAL
gs-736	18	1	გრეხვის პროცესში რხევების	ORG
gs-736	18	2	10-5.g	CARDINAL
gs-736	18	3	სადაც g	PERSON
gs-736	18	4	მოდულის	DATE
gs-736	18	5	გრეხითი რხევების	ORG
gs-736	19	1	ენერგიის	GPE
gs-736	20	1	5	CARDINAL
gs-736	21	1	1	CARDINAL
gs-736	22	1	სადაც	GPE
gs-736	22	2	am+n-მდე	ORG
gs-736	22	3	ხახუნის	GPE
gs-736	22	4	არამონოტონური	DATE
gs-736	22	5	ხახუნის	GPE
gs-736	22	6	0,5	CARDINAL
gs-736	22	7	ცვლილება შესაძლებელია	DATE
gs-736	22	8	დაკავშირებულია sige შენადნობის	ORG
gs-736	22	9	სტრუქტურაში რელაქსაციის	ORG
gs-736	22	10	ხახუნის	GPE
gs-736	22	11	ცვლილება	DATE
gs-736	22	12	ასეთ	GPE
gs-736	22	13	წარმოადგენენ დისლოკაციები	PERSON
gs-736	22	14	ატომებითა	DATE
gs-736	22	15	georgian	GPE
gs-736	22	16	მეცნიერები	GPE
gs-736	22	17	4	CARDINAL
gs-736	22	18	სიხშირის	ORG
gs-736	23	1	განსაზღვრის	NORP
gs-736	23	2	მოდულის მნიშვნელობები	GPE
gs-736	23	3	5	CARDINAL
gs-736	24	1	ძვრის მოდულისა	GPE
gs-736	24	2	სიხშირის	GPE
gs-736	24	3	2-დან	CARDINAL
gs-736	24	4	მაღალი შემცველობის შენადნობში მაპოლირებელი	ORG
gs-736	24	5	2	CARDINAL
gs-736	24	6	ძვრის	NORP
gs-736	24	7	ხახუნის ინტენსივობა	GPE
gs-736	24	8	104	CARDINAL
gs-736	24	9	ძვრის	NORP
gs-736	24	10	ხახუნის ინტენსივობა	GPE
gs-736	24	11	104	CARDINAL
gs-736	24	12	0.05	CARDINAL
gs-736	24	13	0.25	CARDINAL
gs-736	24	14	11	CARDINAL
gs-736	24	15	13	CARDINAL
gs-736	24	16	1.0	CARDINAL
gs-736	24	17	10	CARDINAL
gs-736	24	18	16	CARDINAL
gs-736	24	19	წარმოდგენილია მაპოლირებელი მასალის დისპერსულობის	ORG
gs-736	24	20	georgian	NORP
gs-736	24	21	მეცნიერები	GPE
gs-736	24	22	4	CARDINAL
gs-736	25	1	ძვრის	NORP
gs-736	25	2	მოდულის დამოკიდებულება	DATE
gs-736	25	3	1.p-si+2ატ.%ge	CARDINAL
gs-736	25	4	2p-si+2,5ატ. %	MONEY
gs-736	26	1	ენერგეტიკულ მდგომარეობებსა	ORG
gs-736	26	2	მესერში გახსნილი	ORG
gs-736	26	3	შთანთქმის	ORG
gs-736	26	4	ნახ.3.-ზე	CARDINAL
gs-736	26	5	0,25	CARDINAL
gs-736	27	1	ალმასით პოლირებული	PERSON
gs-736	27	2	111	CARDINAL
gs-736	28	1	შთანთქმის სპექტრი. ის	ORG
gs-736	29	1	5355.244 0.002	CARDINAL
gs-736	29	2	0.003	CARDINAL
gs-736	29	3	0.003	CARDINAL
gs-736	29	4	0.003	CARDINAL
gs-736	29	5	0.007	CARDINAL
gs-736	29	6	0.004	CARDINAL
gs-736	29	7	0.007	CARDINAL
gs-736	29	8	0.007	TIME
gs-736	29	9	0.007	CARDINAL
gs-736	29	10	0.003	CARDINAL
gs-736	29	11	0.006 #81(1	MONEY
gs-736	29	12	0.25mk	CARDINAL
gs-736	29	13	5800 5600	CARDINAL
gs-736	29	14	2200 2000	DATE
gs-736	29	15	200 0.29 0.28 0.27 0.26	QUANTITY
gs-736	29	16	0.21 0.20	CARDINAL
gs-736	29	17	o	DATE
gs-736	29	18	georgian	NORP
gs-736	29	19	მეცნიერები	GPE
gs-736	29	20	4	CARDINAL
gs-736	29	21	2022	CARDINAL
gs-736	30	1	0,25	CARDINAL
gs-736	31	1	ალმასით პოლირებული	PERSON
gs-736	31	2	111	CARDINAL
gs-736	31	3	ინფრაწითელი	FAC
gs-736	31	4	1107	CARDINAL
gs-736	31	5	604	CARDINAL
gs-736	31	6	800-1100	CARDINAL
gs-736	31	7	მაპოლირებელი მასალის დისპერსულობის	ORG
gs-736	31	8	0,25-5,0	MONEY
gs-736	31	9	1	CARDINAL
gs-736	32	1	2360	CARDINAL
gs-736	32	2	6	CARDINAL
gs-736	33	1	p-sige	ORG
gs-736	33	2	სპექტრში შესაძლებელია დაკავშირებულია	GPE
gs-736	33	3	გააქტიურებულ ზედაპირზე	PERSON
gs-736	33	4	არსებული co2 მოლეკულების აბსორბციით. შესაძლებელია	ORG
gs-736	33	5	რაც მიუთითებს	PERSON
gs-736	33	6	გარეშე	DATE
gs-736	33	7	კონცენტრაციის	NORP
gs-736	33	8	1	CARDINAL
gs-736	34	1	o	DATE
gs-736	34	2	6.8x	CARDINAL
gs-736	34	3	10-1	CARDINAL
gs-736	34	4	3.13	CARDINAL
gs-736	34	5	10-1	DATE
gs-736	34	6	10	CARDINAL
gs-736	34	7	10	CARDINAL
gs-736	34	8	10-1	CARDINAL
gs-736	34	9	10	CARDINAL
gs-736	34	10	10	CARDINAL
gs-736	34	11	4.7	CARDINAL
gs-736	34	12	10-1 1.38x	DATE
gs-736	34	13	10	CARDINAL
gs-736	34	14	ფართო დიაპაზონში c	ORG
gs-736	34	15	o	DATE
gs-736	34	16	არამონოტონური	DATE
gs-736	34	17	ურთიერთქმედება ვაკანსიური	ORG
gs-736	34	18	დისლოკაციური წარმოშობის დეფექტებთან	ORG
gs-736	34	19	georgian	NORP
gs-736	34	20	მეცნიერები	GPE
gs-736	34	21	4	CARDINAL
gs-736	34	22	2022 72	DATE
gs-736	34	23	1	CARDINAL
gs-736	35	1	в	LOC
gs-736	36	1	кузнецов	PERSON
gs-736	37	1	внутреннее	PERSON
gs-736	37	2	полупроводниковых пластин	PERSON
gs-736	38	1	физика и химия	ORG
gs-736	38	2	1977	DATE
gs-736	38	3	4	MONEY
gs-736	39	1	в.п. алехин	GPE
gs-736	39	2	физика прочности и пластичности	ORG
gs-736	41	1	наука	PERSON
gs-736	41	2	1983	DATE
gs-736	42	1	3.v.v	ORG
gs-736	42	2	kveder	GPE
gs-736	42	3	e.a.	GPE
gs-736	42	4	h.g. grimmeiss	PERSON
gs-736	46	1	51	CARDINAL
gs-736	46	2	10520 , 1995	DATE
gs-736	47	1	4	CARDINAL
gs-736	47	2	р.м. баязитов	PERSON
gs-736	47	3	в.а.	GPE
gs-736	47	4	д.и.крижков	GPE
gs-736	47	5	в.с.	GPE
gs-736	48	1	1,5	CARDINAL
gs-736	48	2	обработанных	NORP
gs-736	49	1	и	DATE
gs-736	49	2	2003	DATE
gs-736	49	3	37	CARDINAL
gs-736	49	4	12	MONEY
gs-736	50	1	1427-1430	CARDINAL
gs-736	51	1	5.m.s	CARDINAL
gs-736	56	1	990, 2007	DATE
gs-736	56	2	539p	CARDINAL
gs-736	57	1	6.ir	CARDINAL
gs-736	58	1	111	CARDINAL
gs-736	61	1	ci-cs	PERSON
gs-736	61	2	ci-oi	PERSON
gs-736	62	1	111	CARDINAL