2009) 4 (22مجلة ابن الھیثم للعلوم الصرفة والتطبیقیة المجلد في المحضر بطریقة التبخیر الحراريCdS لغشاء ةیدراسة الخصائص البصر الفراغ عليهناء فلیح، بالوهبتول درعم، علويهند فاضل قسم الفیزیاء ، كلیة العلوم للبنات ، جامعة بغداد الخالصة 10)تحـت ضـغط في الفراغ التبخیر الحراري بطریقة(CdS) متجانس من مادة كبریتید الكادمیومر غشاءّحض - 6 Torr) ورسب على ارضیة زجاجیة باسـتخدام حـویض مـن مـادة المولبیـدنیوم (M o) . البـصریة لـه التـي درسـت الخـصائص معامــل االنكــساردرس كمــا . nm(900-300)لموجیــة ضــمن مــدى االطــوال ااالمتــصاصیة واالنعكاســیةوتــشمل النفاذیــة تـوالي لاسموح والممنـوع وكانـت قیمتهـا علـى المـالمباشـر متصاص وفجـوة الطاقـة البـصریة لالنتقـال معامل االو ومعامل الخمود 2.4eV 2.25 وeVیصل إلى ٍ"یا عال الغشاء معامل امتصاص، وكان α>10 4 cm -1 . المقدمة قیقـة اهمیــة كبیــرة اد شــبه الموصـلة إلــى بدایــة القـرن التاســع عــشر فقـد كــان لالغــشیة الریعـود االهتمــام بدراسـة المــو ات التــيكیى شـكل مــادة الــسلیكا والــسل الـسلیكون المتــوفر بكثــرة علــجـاالت فمنــذ القــدم اســتعملمعدیــد مــن ال فــي العماللالسـت وفـي طـالء ،یرامیك في الـسزجاج المستعملصناعة ال مثل، من مادة القشرة االرضیة في العدید من المجاالت(%25)تؤلف قومـــات كمعمل الــسلینیوم ، ثـــم دخلــت اشــباه الموصـــالت فــي مجــال التطبیقــات العملیـــة فاســت]2، 1[فــضةالزجــاج بــامالح ال (Rectifiers)اوكـــسید النحــاس عـــام ، كمـــا تــم بعـــدها اســتعمال)1889(عــام التـــردد الــواطيء فـــي ي للتیــارات المتناوبــة ذ . ]3[البطاریاتاسع كمقومات قدرة واطئة في شاحنات بشكل و) 1927( صـنع الترانزسـتور ودخلـت) 1946(صمامات الحراریـة، وفـي عـام الـبلوریـة بلاستبدلت الكواشـف ا) 1939(وفي عام تقـوم هــذه ) 1954(فـي عـام خلیـة شمـسیة مـن مـادة الـسلیكون اول،اذ صـنعتا الشمـسیةاشـباه الموصـالت فـي تـصنیع الخالیـ ت اشـباه لـخدو، ]4[درة في السفن الفـضائیةمصدر قك استعملتتحویل الضوء إلى طاقة كهربائیة بكفاءة مقبولة بعدهاالخلیة ب . ]5[ في انتاج اول لیزر شبه موصل(GaAs) ارسنید الكالیوم اذ استعمل) 1962(تقنیة انتاج اللیزر عام في الموصالت ویمتلـك فجـوة طاقـة مباشـرة (II-VI)) الـسادسة-الثانیـة ( احد مركبات شبه الموصـلة للمجموعـة(CdS)یعد مركب (Direct Band Gap α>10)ٍ، ومعامـل امتـصاص عـال ( 4 cm -1 تـاج اغـشیة ویمكـن ان]7، 6[ فـي مـدى الطیـف المرئـي،( ام بـشكل ملحـوظ بهـذه المـادة خــاللمــوقـد ازداد االهت. اصـفات عالیـة الجـودة وبتقنیــات متعـددة وبكلفـة قلیلـة مويرقیقـة منـه ذ ــائط والخالیــا الشمـــسیة وكواشـــف عــن" فـــضالطبیقـــات التوصــیلیة الـــضوئیة ًالــسنتین االخیـــرة بــسبب اثباتهـــا نجاحـــا فــي ت النبـ .]8[اتت والثنائیااالشعاع Op فـــي االلكترونیـــات الـــضوئیة كمـــا یـــستعمل toelectronic] 9 ،10[ وPiezo-electronic] 11 [ وبــــسبب ت مـع مـواد اخـرى لتكـوین ي كلفـة واطئـة فقـد اسـتعمل تحویـل مقبولـة واسـتقراریة وذةیـ وكفا، فجوة طاقـة متوسـطةCdSامتالك .]CdS/CdTe ]12 ،13ٍ و CdS/Cu2Sخالیا شمسیة متعددة المفارق مثل 2009) 4 (22المجلدمجلة ابن الھیثم للعلوم الصرفة والتطبیقیة یتغیـــر اللـــون مـــن االحمـــر الغـــامق الـــى ، اذ الیـــهHg وCdTeّانـــه یكـــون اصـــباغ حراریـــة ثابتـــة باضـــافة كمــا ء هــي مــة الطاقـة للــضوء المرئـي عبــر الغـشاأغـشیة رقیقــة نفـاذة للــضوء المرئـي الن حزویمكـن اســتعماله . ] 14[االصـفر 3.0eV-1.5eV ]15 ،16[كما یـستعمل CdS لغـاز لكمتحـسس المحـضر بطریقـة التبخیـر(Gas sensors) للكـشف عـن . ]18[ (Decorative and protective coating)یة والدیكور ا كغالف للحم وكذلك یستعمل] 1[7االوكسجین Spوطریقـة الترذیــذ الفـراغ عدیــدة منهـا التبخیـر الحـراري فــيقائـ بطرCdSتحـضر اغـشیة uttering ، وCBD (Chemical bath deposition) ، وM OCVD (M etal organic chemical vapour deposition)والـرش Sp ray ، وM BE (M olecular beam epitaxy SILAR (Successive ionic lay و ( er adsorp tion and reaction) و Screen Printing ]19 [ . یقـة تتمیــز بهـذه الطر ان االغـشیة المحـضرةتبخیــر الحـراري فـي الفـراغ، اذ طریقـة الد تـم فـي هـذا البحـث اسـتعمالوقـ . ]20[ها من الشوائب والتجانس وخلوباالنتظام الجانب العملي تحـت (Lybold Coating Unit) باسـتخدام منظومـة تبخیـر مـن نـوع CdSغـشاء تـم فـي هـذا البحـث تحـضیر 10)ضغط واطيء بحدود -6 Torr) المولبیـدنیوم مـادةمـنمـصنوع م حـویض ااسـتخدب (M o) لعـدم تفاعلهـا مـع رتالتـي اختیـ 2890K)نـصهارها عالیـة حـوالي والن درجـة االمواد المراد تبخیرهـا o لمنـع تطـایر نفـسهامـن المـادةغطـاء مثقـب وللحـویض ( Soda) علـى قواعـد زجاجیـة مـن نـوع (0.951μm)بـسمك (CdS)وتـم ترسـیب غـشاء . مادة الغشاء خالل عملیة الترسـیب glass) وبمعدل ترسیب في درجة حرارة الغرفة(360Å/s). القیاسات البصریة (Transmittance) (T)والنفاذیـة ، (Absorbance) (A) التـي تـشمل االمتـصاصیة البصریةاجریت القیاسات طة جهازاس بوnm(900-300) النقي ولمدى االطوال الموجیة (CdS)لغشاء (uv/vis Double Beam Sp ectrop hotometer pu-8800) ذي الحزمتین المجهز من شركة (Philip s) . : تخدام العالقة االتیةسة والنفاذیة باصاصی االنعكاسیة من طیفي االمتتبسح ...(1) 1 TAR  :حیث ان R :االنعكاسیة ،A :االمتصاصیة ،T :النفاذیة Absorp)أما معامل االمتصاص tion Coefficient)21[ًفقا للعالقة وب فقد حس[: ...(2) 2.303(A/t)حیث ان: t : سمك الغشاء المحضر(μm) ،α :متصاص معامل اال(cm -1 ) الدقیقــة فــي قیــاس ســـمك ق ائـــســمك الغــشاء بالطریقــة الوزنیـــة وطریقــة التــداخل الــضوئي التـــي تعــد مــن افــضل الطراذ قــیس .]22[االغشیة :[23] ًى معامل االمتصاص وفقا للعالقةً معامل الخمود اعتمادا علبحس ...(3) 4 K          :حیث ان K :معامل الخمود ،λ :الطول الموجي :]24[ً االنكسار وفقا للعالقة االتیةومن خالل معرفة معامل الخمود واالنعكاسیة الطیفیة یمكن حساب معامل 2009) 4 (22المجلدمجلة ابن الھیثم للعلوم الصرفة والتطبیقیة ...(4) R)]-R)/(1[(11)(K-R)-R/1[(1n 1/222  المهمــة لعالقتهــا ت مـن الدراســاةیاب فجــوة الطاقــة البــصرالبــصریة وحـسًبــصریة بـدءا مــن الثوابــت لتعـد دراســة الخــصائص ا . الءمتها للتطبیقات المختلفة المواد شبه الموصلة وتحدید مدى مبسلوكیة النتائج والمناقشة طیف االمتصاصیة والنفاذیة واالنعكاسیة للغشاء المحضر . 1 Absorbance and Transmittanceاالمتصاصیة والنفاذیة - دالـة لطاقـة ك (CdS)مـن دراسـة طیـف النفاذیـة لغـشاء . دالـة لطاقـة الفوتـونكطیـف االمتـصاصیة ) 1 (الشكلیبین نفاذیـة الـذي یعـزى إلـى التوافـق فـي اتجاهیـة الحبیبـات وفـي لیالحظ ظهور قمم التداخل في طیف ا) 2(الفوتون كما في الشكل نالحـظ ان الغـشاء المحـضر یمتلـك سیب الغشاء علیـه، وكمـا رضیة التي تم تراتجاه مستوى االنماء البلوري الموازي لسطح اال عنـد حافـة االمتـصاص التـي تمثـل الحـد الفاصـل بـین المنطقـة التـي یكـون فیهـا امتـصاص الـضوء %70نفاذیة عالیة بحـدود ). المنطقة الشفافة للضوء ("ًعالیا والمنطقة التي یكون فیها امتصاص الضوء قلیال Reflectanceاالنعكاسیة - ً اعتمــادا علـى العالقــة حـسبتتــي ل ا(CdS)دالـة لطاقــة الفوتـون لغـشاء كاســیة تغیــر طیـف االنعك) 3(ن الـشكل ییبـ ًیالحظ تزاید االنعكاسیة تدریجیا مع تزاید طاقة الفوتون بعدها نحصل على هبوط تدریجي مـع زیـادة طاقـة الفوتـون ثـم اذ )1( ًقـد یكـون سـبب هـذا التغیـر هـو االخـتالف فـي امتـصاصیة االغـشیة فـضال عـن و. لفوتونیة العالیـةازیادة سریعة عند الطاقات .التركیب البلوري لالغشیة Absorption coefficieحساب معامل االمتصاص . 2 nt یعتمــد معامــل االمتــصاص علــى طاقــة الفوتونـــات ،اذیــف النفاذیــة واالنعكاســیةس معامــل االمتــصاص مــن طقــی ونــوع االنتقــاالت االلكترونیـة التــي تحــدث بـین الحــزم الطاقیــة ومــن ةیالطاقــة البـصرالـساقطة وخــواص شــبه الموصـل وفجــوة . زم الطاقیة لالغشیة المحضرةخالله یتم وضع تصور تقریبي على هیكلیة الح ویالحـــظ ان معامـــل (CdS)البـــصري مــع طاقـــة الفوتـــون لغــشاء تغیـــر معامــل االمتـــصاص ) 4 (یوضــح الـــشكل عالقـة اسـیة كمـا یالحـظ ،یادة طاقة الفوتون وان العالقة بین معامل االمتصاص وطاقة الفوتونًاالمتصاص یزداد تدریجیا بز یـدل ممـا (2.6eV-2.25)ح بـین والتـي تتـرا الفوتونیـة العالیـة تًایضا زیادة سـریعة فـي معامـل االمتـصاص فـي مـدى الطاقـا لقـد بینـت . تقـدیر قیمـة فجـوة الطاقـةمـن ثـممنطقـة االمتـصاص االساسـیة ویـساعد فـي تحدیـد على حصول انتقـاالت مباشـرة المحـضر بطریقــة الـرش الكیمیـائي زیـادة سـریعة فــي معامـل االمتـصاص فـي مـدى الطاقــات CdSالدراسـات الـسابقة لغـشاء ویالحــظ ان معامــل االمتــصاص ] 2[6 (2.6eV-2.4) وبــین ]25 (2.48ev-2.25)[الفوتونیــة العالیــة التــي تتــراوح بــین . اقة الفوتون بصورة بطیئة عند الطاقات الواطئة ثم یزداد التغیر بسرعة بالقرب من طاقة االمتصاصیتغیر مع تغیر ط 10)یمتلـك كبریتیـد الكـادمیوم معامـل امتـصاص عـال یـصل مـداه إلـى 4 cm -1 عنـد الطاقـات الفوتونیـة العالیـة ممــا ( . قاتیرجح احتمالیة حصول انتقاالت الكترونیة مباشرة ضمن هذا المدى من الطا ان معامـل االمتـصاص یـساعد علـى اســتنتاج انـواع االنتقـاالت االلكترونیـة فعنــدما تكـون قـیم معامـل االمتــصاص α>10)عالیة 3 cm -1 عند الطاقات الفوتونیة العالیة یتوقع حدوث انتقاالت الكترونیة مباشرة وتكون طاقة زخم ( 2009) 4 (22 المجلدمجلة ابن الھیثم للعلوم الصرفة والتطبیقیة α<10)االلكتـرون والفوتــون محفــوظتین، أمــا عنــدما تكــون قـیم معامــل االمتــصاص واطئــة 3 cm -1 عنــد الطاقــات ( ، 23[ فونــونون والفوتــون بمــساعدةالفولتیـة الواطئــة یتوقــع حــدوث انتقــاالت الكترونیـة غیــر مباشــرة وفیهــا یحفــظ زخـم االلكتــر 24[. Optical Constants حساب الثوابت البصریة. 3 للمـواد شـبه الموصـلة مـن خــالل الثوابـت البـصریة التـي تـضم معامـل الخمـود ومعامــل ةیتوصـف الخـصائص البـصر . ]26[لتطبیقات المالئمة لهذه المواداالنكسار والتي من خاللها یمكن التعرف على نوع ا Extinction Coefficieمعامل الخمود - nt یالحظ ان معامل الخمود یسلكاذ ،(CdS)ل الخمود دالة لطاقة الفوتون لغشاء تغیر معام) 5(یبین الشكل ًسلوكا مشابها لمعامل االمتصاص الرتباط معامل الخمود مع معامل االمتصاص بموجب العالقـة حیـث یـزداد معامـل ) 3(ً .الخمود مع معامل االمتصاص ًكما ویالحظ ان معامل الخمود یزداد تدریجیا بتزاید طاقة الفوتون ثم یتناقص تدریجیا یعقبها زیادة سـریعة جـدا عنـد ً ً ـــشاء . الطاقـــات الفوتونیــــة العالیــــة ضر بطریقــــة الــــرش المحــــ(CdS)وهــــذا الــــسلوك متفــــق علیــــه مــــع الدراســــات الــــسابقة لغـ .]26، 25[الكیمیائي Refractive Indexار سكمعامل االن - ًب اعتمــادا علــى حــسضر الــذي حــم ال(CdS) تغیــر معامــل االنكــسار مــع طاقــة الفوتـون لغــشاءیبــین) 6(الـشكل ).4(العالقة بینت النتائج ان طبیعة تغیر معامل االنكسار مع طاقة الفوتون مشابهة لطبیعة تغیر االنعكاسیة مع طاقة الفوتون نتـائج االنعكاســیة الطیفیـة وتغیرهـا علــى تلالنعكاسـیة الطیفیـة، علیــه انعكـسان معامــل االنكـسار هـو دالــة اذ للغـشاء نفـسه . نتائج معامل االنكسار .Jاكد البـاحثون اذ معامل االنكسار یتغیر مع تغیر ظروف التحضیر والتقنیة المستخدمة في التحضیر، ان سلوك Aranda et alاالنكسار عند الطاقـات وزیادة خفیفة في قیم معامل ]23[ معامل االنكسار تزداد بزیادة طاقة الفوتونمی ان ق . ]25[العالیة Optical Band Gapحساب فجوة الطاقة البصریة . 4 (αhυ)[ عند رسم العالقة البیانیة بین كل من 2 (αhυ)و 2/3 (αhυ)و 1/3 (αhυ)و 1/2 (hυ)مـع طاقـة الفوتـون ] ، لممنوعـة لمـسموحة والممنوعـة وفجـوة الطاقـة غیـر المباشـرة المـسموحة واة الطاقـة المباشـرة ایمكـن مـن خاللهـا حـساب قیمـة فجـو (αhυ)وعنـد رسـم العالقـة البیانیـة بـین .علـى التـوالي 2 حـصلنا علـى افـضل رسـم بیـاني یمكـن ان یكــون (hυ)وطاقــة الفوتـون كمــا موضـــح (CdS)ء باشــر المــسموح لغــشاد قیمــة فجـــوة الطاقــة لالنتقــال الم لتحــدhυامتــداد الخــط المــستقیم یقطــع محــور والبحــوث المنـشورة ضــمن تقنیــات تحــضیر تتفــق مــع نتـائج المــصادر وهـذه النتیجــة . (2.4eV)وكانــت قیمتهــا ) 7(بالـشكل . ([31,30,29,28,27,24,23,21,19] (2.52eV-2.46) بین كانت قیمتها تتراوح التي مختلفة هـذا الـسلوك مـع المنحنیـات االخـرى ممـا یـشیر إلـى ً خطیا عند مدى الطاقات العالیة ولـم یظهـرًح الشكل تغیرایوض ني المباشر المسموح في الغشاء المحضر، هنـاك تفـاوت بـین القـیم المستحـصلة لفجـوة الطاقـة وتأثرهـا وحصول االنتقال االلكتر . بآلیة تكوین االغشیة والظروف المصاحبة لعملیة التحضیر 2009) 4 (22 المجلدمجلة ابن الھیثم للعلوم الصرفة والتطبیقیة ونوعهـا علــى التركیـب البلــوري للمـادة وكیفیـة توزیــع الـذرات فـي الــشبیكة البلوریـة وتركیــب تعتمـد قیمـة فجــوة الطاقـة ًفـي احـداث تغیــرا ً، وهـذا یعنـي ان أي تغیـر فـي الخـصائص التركیبیـة والمعلمـات االخـرى یكـون سـببا]23[المـستویات الطاقیـة .غشیةنوع االنتقاالت التي تحصل في االة الطاقة وفي في قیمة فجو وان قیمـــة (2.25eV) وتـــساوي (CdS) الممنـــوع لغــشاء باشـــرم ال فجـــوة الطاقـــة لالنتقــالان) 8(الــشكل فـــي جــدو 10)معامـل االمتـصاص عنـد هــذه الطاقـة یـصل مــداها إلـى 3 cm -1 ممـا یؤكــد ان قیمـة الطاقـة المحــسوبة هـي فجـوة الطاقــة ( . لمباشر الممنوعلالنتقال ا . ة فجوة الطاقة لالنتقال المباشر الممنوع اقل من قیمة فجوة الطاقة لالنتقال المباشر المسموحمیالحظ ان قی االستنتاجات . وبنجاح بطریقة التبخیر الحراري في الفراغ(0.951) بسمك (CdS)تم الحصول على غشاء .1 . على التوالي(2.25eV) و eV(2.4)تساوي والممنوع المباشر المسموح یمتلك كبریتید الكادمیوم فجوة طاقة لالنتقال .2 .ان العالقة بین معامل االمتصاص، معامل االنكسار، االنعكاسیة ومعامل الخمود مع طاقة الفوتون هي عالقة اسیة .3 10) معامل امتصاص عال یصل مداه الى (CdS)یمتلك .4 4 cm -1 ل مـداها الـى عند الطاقات الفوتونیة العالیـة التـي یـص( (2.6eV)مما یرجح احتمالیة حصول انتقاالت الكترونیة مباشرة ضمن هذا المدى من الطاقات . المصادر 1. Smith,R.A. (1987), Semiconductors,Cambridge,University Press 2 nd ed. 2. Sze, S.M . "Semiconductor Devices Phy sics and Technology ", John Wiley and Sons, New York. 3. Seeger, K. (1978), Semiconductor Phy s., Wien, New York. 4. Green,M .A. (1989) Solar cells,Translated by Y.M .Hassan,University of M osul. 5. Kandela,S.A. (1988), Laser Phy s., University of Baghdad. 6. Heo,H.; Thn, R.; Lee, R.; Han, Y. and Kim, D. (2003), Solar Energy M aerials and Solar Cells, 75: 193-203. 7. Cruz,L.R.; de Avillez, R.R.; de Sup erficies Y de Vacio,(1999) 9, 92-95. 8. Al-Ani, S.K.; Ismail,R.A.; Al-Ta`ay. H.F. (2005) Iraqi J. of Ap p l. Phy s.1,2,13-17. 9. Iy echika,Y.; Wigner, G.; Jager, D. ;Witt A. and Klingshirn C. (C1988) SPIE Op t. Comput., 88,103. 10. Bogdanov S.V. and Ly ssenko, V.G. (1988) Phy s.Status Solidi,B150,593. 11. de Kerk ,J. and Kelly, E.F. (1964) Ap p l. Phy s. Lett .5,2. 12 Lee J.S and Im,H.B. (1980) J. M ater. Sci., 4,703. 13.Nakayama, N.; M atsumoto,H.; Nakano A.; Ikegami,S.; Uda, H. and Yamashita,T. (1980) Jap n. Phy s., 4,703. 14.www http ://en.wikipedia, the free encyclop edia. 15.Okujagu, C.U. and Okeke,C.E. (1997) "Effect of material p rop erties on the transmission of selective transmitt ing thin films, NJP, 9,1. 16.Cody ,C.A.; Brook, B.G. and Abele, B. (1982) "Op tical absorp tion above the optical gap of amorp hous silicon hy draie", Solar Energy M aterials, 231-240. 17.Smynty na,V.A.; Gersut enko, V. Sashulies, S. (1994) Sensors and Actuators B, 18-19, 464. 2009) 4 (22مجلة ابن الھیثم للعلوم الصرفة والتطبیقیة المجلد 18.Ibanga,E.J.; Okeke, C.E. and Ahmed, A.D. (2003) "Growth and characterization of Aluminum antimonide film produced by chemical bath deposition technique, NJP, 15,1. 19. At es, A.; Yildirim,M .A.; kundakci, M . and Yildirim,M . (2007) "Investigation of op tical and structural prop erties of CdS thin films, Chinese J. of Phy s., 45, 2-1, 135-141. 20Al-Ani, S.K.J. ; Ismail,R.A. and A-T aa`y , H.F. (2006) J. M ater Sci., M ater Electron, 17:819-824. 21. Rusu ,G.G and Caraman, I. A: (2000) Ap p l. Phy s., 70(5):565. 22Chop ra,K.L. (1969) "Thin films p henomena", M cGraw-Hill, New York. 23. Pankove, J.I (1971). Op tical p rocesses in semiconductors, Prentice-Hall, New Jersey ,. 24.Alias,M .F. (1998) ,Op toelectronic st udy of a Se-Ge-Al a-Si-Ge-Al(As): H Films,Ph.D.T hesis,University of Baghdad,Department of p hy sics. بطریقة المحضرةCdSتاثیر التشعیع على الخواص البصریة الغشیة ")1998(جاكلین هاري نجوان .25 .الجامعة المستنصریة-الة ماجستیر، رسالرش الكیمیائي الحراري 27.Senkhil,K.; M analraj ,D. and Narayandass,K.Sa. (2001)"Structural and op tical p rop erties of CdS thin films" Science Direct,169-170,15,476-479. 28.At es,A.; Yildirm,M .A.; Kundakci, M . and Yildirim ,H.: (2008), Investigation of energy gap and optical p rop erties of cubic CdS epilayers", Ap p lied Surface Science, in p ress. تــصنیع ودراســة الخــصائص الكهروبــصریة لكاشــف التوصــیل الــضوئي فــي كبریتیــد الكــادمیوم ) "1997(ســعاد غفــوري،.26 . كلیة التربیة للبنات- جامعة بغداد-ستیر، رسالة ماج" بطریقة الرش الكیمیائي الحراري(CdS:Cu)المطعم 29. Patidar, D.; Sharma,R.; Jain, N. ;Sharma T. and Saxena, N. (2006), Op tical p rop erties of CdS Sintered film, Bull. M ater. Sci., 29,1,21-24. 30. Ugwu, E.L. (2006), Op tical p rop erties of Iron Halide (FeCl2) thin film deposited using solution growt h technique (SGT ). PJST 7,2,97-102. 31. Ugwa, E.I. Onah,D.U. (2007), Op tical characterist ics of chemical bath dep osited CdS thin film characterist ics within UV, Visible, and NIR radiation", the Pacific Journal of Science and Technology , 8(1): 155-161. دالة لطاقة الفوتونCdSطیف االمتصاصیة لغشاء ): 1(شكل دالة لطاقة الفوتونCdSطیف النفاذیة لغشاء ): 2(شكل 2009) 4 (22مجلة ابن الھیثم للعلوم الصرفة والتطبیقیة المجلد 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1 1.5 2 2.5 3 Phot on Ener gy(eV) A b s o rp ta n c e 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.5 2 2.5 3 P ho to n Ene rgy(eV ) T ra ns m it ta n ce دالة لطاقة الفوتونCdSطیف االنعكاسیة لغشاء ): 3(شكل تغیر معامل االمتصاص البصري مع طاقة الفوتون): 4(شكل تغیر معامل الخمود مع طاقة الفوتون): 5(شكل تغیر معامل االنكسار مع طاقة الفوتون): 6(شكل 2009) 4 (22یقیة المجلدمجلة ابن الھیثم للعلوم الصرفة والتطب 0.1 0. 12 0. 14 0. 16 0. 18 0.2 0. 22 1 1. 5 2 2.5 3 Ph oton En ergy(eV) R ef le ct an ce 0 0. 01 0. 02 0. 03 0. 04 0. 05 0. 06 0. 07 0. 08 0. 09 1 1.5 2 2.5 3 Photon Ener gy( eV ) E x ti n e ti o n C o e ff ic ie n t 1.5 1.7 1.9 2.1 2.3 2.5 2.7 2.9 1.2 1. 4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 Photon Energy(e V) R e fr a c ti v e i nd e x 3 /2 0 5000 100 00 150 00 200 00 250 00 1 1.5 2 2.5 3 Pho t on Energ y(e V) A b so rp ti o n C o ef fi ci en t (c m -1 ) (αhυ)): 7(شكل 2 مع طاقة الفوتون (αhυ)): 8(شكل 2/3 مع طاقة الفوتون IBN AL- HAITHAM J. FOR PURE & APPL. S CI VOL.2 2 (4) 2009 0 500 000 000 1000 000 000 1500 000 000 2000 000 000 2500 000 000 3000 000 000 3500 000 000 1 1.5 2 2. 5 3 P hoton Energy(e V) (a h v) ^ 2( eV .c m -1 )̂ 2 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1 1.5 2 2.5 3 Photon Energy(eV ) (a hv )2 /3 (e V .c m -1 )2 /3 Study o f Optical Properties of CdS Films Prepared by Thermal Evaporation in Vacuum H.F. Ela wi, B.D.Balwa, H.F. Ali Departme nt of Physics , College of Science for Wome n, Unive rsity of Baghdad Abstract CdS films were p repared by thermal evap oration at p ressure (10 -6 torr) of 1μm thickness onto glass substrate by using (M o) boat. The op tical p rop erties of CdS films, absorbance, transmitt ance and reflectance were st udied in wavelength range of (300-900)nm. The refractive index, extinction coefficient, and absorp tion coefficient were also st udied. It's found that CdS films have allowed direct and forbidden transition with energy gap 2.4eV and 2.25eV resp ectively and it also has high absorp tion coefficient (α >10 4 cm -1 ).