Microsoft Word - 227-236 227 | Physics 2014) عام 3(العدد 27المجلد مجلة إبن الھيثم للعلوم الصرفة و التطبيقية Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (3) 2014 تصنيع كاشف ضوئي ودراسة خصائصه التركيبية والبصرية الغشية اوكسيد الكادميوم المحضرة بطريقة التبخير الحراري في الفراغ سمير عطا مكي زينب صباح عبد الرضا جامعة بغداد/الصرفة ابن الھيثمكلية التربية للعلوم /قسم الفيزياء 2014حزيران 22قبل البحث 2013تشرين االول 1استلم البحث : الخالصة والمصنع بطريقة التبخير الحراري الفراغي ودراسة خصائصه التركيبيه n-CdO/ -Siصنع كاشف ضوئي تم ترسيب غشاء رقيق من مادة الكادميوم (n-Type)والبصرية حضرت شرائح من السليكون متعددة التبلور من نوع فـي فرن Cd ) . انجز بأكسدة غشاء 1.25sec) وزمن ترسيب (20nm±300) وسمك (300Kوبدرجة حرارة الغرفة ( ، وبعد ( بوجود الھواءمدة ساعة كاملة ، وتمت األكسدة ) 673kعندبدرجة حرارة ( Vectoreenكھربائي نوع ( العينات من الفرن وحسبت فجوة الطاقة البصرية لالنتقاالت االلكترونية المباشرة(المسموحة) دالة ) ساعة تخرج 24 لمعامل االمتصاص و النفاذية واالنعكاسية من خالل تسجيل طيف االمتصاصية والنفاذية للغشاء المحضر ضمن االطوال . فقد أوضحت النتائج إن ھذا Volts 5-1بين استخدام عدة فولتيات انحياز عدة تراوحت ) 1100nm-300الموجية ( جھد إن كل من تيار الظالم وتيار الضوضاء.إن الدراسات -خصائص تيار nm 1000-400الكاشف يعمل بالمدى الطيفي والثانية nm 600الخاصة باالستجابة الطيفية بينت إن لھذه الكواشف استجابية تتميز بقمتين: األولى عند الطول الموجي وباستخدام جھد nm 800عند الطول الموجي A/W 0.46. وبلغت أعلى قيمة لالستجابية nm 800طول الموجي عند ال وأعلى قيمة للكشفية %71وإن الكفاءة الكمية القصوى بلغت Volts 3انحياز التركيبية )، خواص Si)، كاشف ضوئي ،تقنية الفراغ ، سيليكون ( (CdO: اوكسيد الكادميوم الكلمات المفتاحيه والبصرية. 228 | Physics 2014) عام 3(العدد 27المجلد مجلة إبن الھيثم للعلوم الصرفة و التطبيقية Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (3) 2014 المقدمة بصورة واسعة في ( UV ) ( Ultraviolet )استُعملت الكواشف الضوئية العاملة في المنطقة فوق البنفسجية تطبيقات عسكرية وتجارية متنوعة مثل اتصاالت آمنة من الفضاء الى الفضاء , ومراقبة التلوث , ومراقبة طبقة االوزون , والخ.ھذه التطبيقات كلھا تتطلب نبائط حساسة جداً بنسبة [ 3 ], وأنظمة تحذير القذيفة , وكشف اللھب [ 2,1 ]وتعقيم الماء اء وسرعة استجابة عاليتين . تتوافر مختلف االنواع من كواشف االشعة فوق البنفسجية وبصورة رئيسة إشارة الى ضوض كواشف ضوئية مستندة الى السيلكون والمضاعفات الضوئية . يمكن أن تكون ھذه النبائط حساسة جداً في المنطقة فوق مة مثل الحاجة الى مرشحات لتمنع فوتونات الطاقة البنفسجية بضوضاء واطئة واستجابة عالية . اال أن لھا تحديات مھ الواطئة ( الضوء المرئي والضوء تحت االحمر ) أوانھيارھا وكفاءتھا االقل ( الكواشف الضوئية المستندة الى السيلكون ) ة المستندة أو مصدر فولتية عاٍل جداً ( المضاعفات الضوئية ) . ولتجنب ھذه المشكالت جذبت كواشف االشعة فوق البنفسجي ) اھتمامھا متزايدا II – VI, ومواد III – Nitrides, و SiCالى أشباه موصالت ذات فجوة طاقة الواسعة ( الماس , و ألن لھا عمى مرئياً ذاتياً( استجابية واطئة جداً في المنطقة المرئية ) من بين ھذه يعد اوكسيد الكادميوم من المركبات حصول عليه (صناعياً) من التسخين الشديد لعنصر الكادميوم النقي في الھواء وبدرجة حرارة الالعضوية التي يمكن ال ]معينة (دون درجة انصھاره) اما مختبرياً فيتم تحضير بأكسدة بخار الكادميوم المترسب بوجود الھواء في افران خاصة عدم قابليته على الذوبان في الماء او القواعد .له قابليه على الذوبان في الحوامض وأمالح النشادر في حين تن [ 4,5 يمتلك اوكسيد الكادميوم صيغتين تركيبيتين ھما البلورية والعشوائية تمتاز ھيئته التركيبية البلورية بأنھا ذو لون بني او اما طبيعة تركيبة البلورية فيمتاز بأنه [6]احمر ذو تركيب بلوري مكعب،يمتاز بھيئته التركيبية العشوائية بأنھا عديمة اللون وھذا Nacl ([7])مشابھة لتركيب بلورة كلوريد الصوديوم (Fcc) متمركز الوجوه (Cubicذو تركيب بلوري مكعب ( يعني ان خلية الوحدة االعتيادية الواحدة لبلورة المركب تحتوي اربع نقاط شبيكة يرافق كل نقطة من نقاط الشبية اساس ) وبذلك تضم خلية O-2)، واألخر ايون االوكسجين السالب (2Cd+ونين احدھما ايون الكادميوم الموجب (مكون من اي الوحدة الواحدة اربعة ايونات الكادميوم موجبة اربعة ايونات اوكسجين سالبة اي اربع جزيئات من اوكسيد الكادميوم . تحتل انية و مراكزاً اوجھھا الستة ، في حين تحتل ايونات االوكسجين السالبة ايونات الكادميوم الموجبة رؤوساً لخلية المكعبة الثم مركز الخلية المكعبة ومنتصفات اضالعھا أالثني عشر على ھذا االساس فأن كل ايون يكون بستة ايونات مخالفة له وتعد Type-n ([9]من النوع (.اما تصنيف المركب في اشباه الموصالت فيعد مادة شبه موصلة [8] جاراً اول لذلك االيون -Non) الناتجة من عدم التوافق الجزيئي لمكونات المركب (Oxygen Vacanciesبسبب فراغات االوكسجينية ( Stoichio metric conpound([10,11] وينتمي اوكسيد الكادميوم الى المجموعة الثانية– ) السادسةII-VI من ( ) .300k) عند درجة حرارة الغرفة (2.6ev-2.16(الجدول الدوري ذي فجوة طاقة تتراوح قيمتھا الجزء العملي x 1.5 cm 2.5على نوعين من القواعد: األول ھو قواعد زجاجية رقيقة من الزجاج وبأبعاد CdOرسبت األغشية استخدمت اذ تنظف القواعد الزجاجية بالماء العادي ومسحوق الغسيل إلزالة األوساخ التقليدية، ثم تغسل بالماء 0.31× في دورق وتوضع في جھاز الموجات فوق الصوتية %99المقطر ثم توضع ھذه القواعد في كحول اإليثانول عالي النقاوة (Ultrasonically) 10مدة min يد وبعدھا تجفف باستخدام مضخة ھواء اعتيادية وذلك لضمان التنظيف الج(Blower) -n)من النوع القابل )وبذلك تكون جاھزة لالستخدام. أما النوع الثاني من القواعد فھي شرائح سليكونية متعدد التبلور Type) 0.5بمقاومية كھربائيΩ cm -2.5Ωcm وتنظف ھذه القواعد 20±300وبسمك( (111)ذات اتجاھية بلورية ( وذلك لضمان إزالة طبقة (%10)المخفف (HF)بالماء المقطر تنظيفا جيدا ثم توضع في محلول فلوريد الھيدروجين دقائق ثم تغسل بالماء المقطر وتوضع في دورق يحوي كحول اإليثانول النقي 10مدة [12] األوكسيد المتولدة من الجو يف الجيد وبعدھا تجفف باستخدام مضخة ھواء اعتيادية وتوضع في جھاز الموجات فوق الصوتية لضمان التنظ 99% ) لتحضير الغشاء في 300k)عند درجة حرارة الغرفة (Cd، إذ كان ناتج الترسيب لمعدن(وبذلك تكون جاھزة لالستخدام ) بعد 20nm±300) بسمك (10×7,5-5وضغط( sec 1,25منظومة التبخير الحراري الفراغي بزمن الــتــرسيب ( )بوجود الھواء ليتثبت من الغشاء الذي تم الحصول 673k)ووضعه في الفرن بدرجة حرارة (Cdالغشاء المترسب (اكسدة لقد أجريت الفحوصات . (Silver Paste)بواساطة الصق ربط الكاشف باسالك الدائرة الكھربائية ) CdOعليه ھو ( المطلوبه النتائج والمناقشة إذ يُلحظ من الشكل أن nm 1000-400ولمدى األطوال الموجية CdOنفاذية ألغشية خصائص ال (1)يبين الشكل -Band)ويعود ذلك إلى االمتصاص العالي في ھذه المنطقة nm 600النفاذية تكون قليلة عند األطوال الموجية األقل من to-band absorption) كبر من قيمة فجوة الطاقة، ثم تظھر إذ أن عند ھذه المنطقة الطيفية تكون طاقة الفوتون الساقط أ ألن طول موجة الفوتون الساقط عند ھذه المنطقة nm 900ولغاية nm 600زيادة عالية في النفاذية عند الطول الموجي :[13] (Lambert)طبقا لمعادلة (الطيفية T = exp(-αt) ………… (1) 229 | Physics 2014) عام 3(العدد 27المجلد مجلة إبن الھيثم للعلوم الصرفة و التطبيقية Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (3) 2014 : معامل االمتصاص.α: النفاذية،Tاذ جھد حيث يختلف سلوك تيار االنحياز األمامي مع سلوك تيار االنحياز العكسي ففي -خصائص تيار (2)يبين الشكل حالة االنحياز األمامي يكون السلوك مقارباً لدالة أسية. أما في االنحياز العكسي فإن التيار يزداد بشكل تدريجي مع جھد ھذا السلوك يُعد صفة عامة في المفارق الھجينة غير و (Soft Breakdown)االنحياز أي يعطي فولتية انھيار تدريجية حيث يزداد تيار CdOجھد تتأثر كثيرا بتغير سمك غشاء -، ويتبين من الشكل أيضاً أن خصائص تيار[14]المتناظرة يكي ويمكن تفسير ذلك بسبب عدم التطابق الشب (2)الظالم لذلك الغشاء والذي يؤدي إلى زيادة تيار الضوضاء حسب العالقة : [15,16] . ويتم حسابه من العالقة%14.6الكبير بين المادتين الذي يبلغ حوالي 2)( وعرض منطقة النضوب D(V(جھد مھماً جداً في تحديد بعض حيث يمكن حساب جھد البناء الداخلي - يَُعد قياس سعة تغير مقلوب مربع السعة مع جھد االنحياز العكسي حيث تظھر عالقة (3)فضال عن معرفة نوع الوصلة. يوضح الشكل خطية بين جھد االنحياز ومقلوب مربع السعة ، ومن الشكل تم تحديد جھد البناء الداخلي وذلك من تقاطع الخط المستقيم مع بين المادتين، ھذه العيوب تعمل (%14.6)ك لزيادة تركيز العيوب بسبب عدم التطابق الشبيكي .، وذل [17]محور الفولتية مراكز إعادة اتحاد فاعلة تعمل على إطفاء حامالت الشحن وتقليل تركيزھا على طرفي الكاشف والتي تؤدي إلى تقليل عرض منطقة النضوب. ضاءة دالة لجھد االنحياز العكسي للكواشف المصنعة بظروف مختلفة، منحنيات تيار الظالم وتيار اإل (4)يوضح الشكل كما نالحظ زيادة في التيار الضوئي الناتج من إضاءة الكاشف بضوء أبيض عند زيادة فولتية االنحياز ولقيم قدرة ضوئية ب مع زيادة جھد االنحياز مختلفة. إن زيادة التيار الضوئي مع جھد االنحياز يمكن أن نعزوه إلى زيادة عرض منطقة النضو ونحصل على امتصاص الضوء ضمنھا أو ضمن المناطق القريبة (عمق انتشار الحامالت) منھا من ثم سوف تتعاظم احتمالية مساھمة الحامالت المتولدة في زيادة التيار الضوئي، كما أن فولتية االنحياز العكسي تسبب زيادة في قيمة المجال فجوة ومن ثم زيادة التيار الضوئي ونقصان احتمالية - يزيد من احتمالية فصل مزدوجات إلكترونالكھربائي الداخلي مما عمليات إعادة االتحاد السطحية والحجمية. إن زيادة قدرة الضوء الساقط يعني زيادة عدد الفوتونات الساقطة وھذا يزيد من من منطقة انتشار الحامالت التي تعتمد على فترة عدد الحامالت المتولدة ضوئيا والتي تنتشر ضمن منطقة النضوب وض حياة الحامالت األقلية في منطقة النضوب فيزداد التيار الضوئي بزيادة القدرة الضوئية للضوء الساقط. كذلك نالحظ أن ويتكرر التصرف نفسه مع القدرات المختلفة. إن انعدام تأثير Volts4 التيار الضوئي يستقر عند جھد انحياز عكسي الجھد العكسي في سلوك التيارات الضوئية يأتي من كون تأثير الجھد ينحصر في تغير عرض منطقة النضوب، وأيضاً ألن للحامالت وحسب على معدل التولد لحامالت الشحن وعلى عمق االنتشار ايضاقيمة التيار الضوئي في حالة االنحياز تعتمد [18,19]العالقة ) ………… (3)p+ L n= q A G (W + L PhI : معدل تولد حامالت الشحن الضوئية.Gاذ W.عرض منطقة النضوب : nL عمق انتشار اإللكترونات pL.عمق انتشار الفجوات : عدم التطابق الشبيكي التي تؤثر منند والناتجة النقصان في التيار الضوئي بسبب العيوب المتولدة ع (4)يبين الشكل على تحركية الحامالت المتولدة ضوئيا، وبالتالي تقلل من سريان التيار الضوئي عبر الكاشف. فضال عن أن سمك غشاء CdO يعمل على تقليل النفاذية ضمن منطقة النضوب في القاعدة والذي بدوره يعمل على تقليل التيار الضوئي وحسب تغير سلوك تيار دائرة (5). حسب عامل المثالية باستخدام الطريقة الكھروضوئية يبين الشكل (3)معادلة ال يمكن حسابه من المعادلة القصر مع فولتية الدائرة المفتوحة وقد رسم التيار على مقياس لوغاريتمي، وإن عامل المثالية اآلتية: (4) انيكية واحدة لنقل وأظھرت النتائج أن عامل المثالية يأخذ قيماً كبيرة (أكبر من واحد) مما يعكس وجود أكثر من ميك والسليكون تحرف CdOالناشئة عن عدم التوافق الشبيكي بين مادة (Interfacial States)التيار. إن العيوب البينية الكاشف عن الخصائص المثالية مما يؤدي إلى زيادة العيوب البينية ومن ثم ارتفاع قيم عامل المثالية وكما موضح بالشكل. يعني أداء كھروبصري قليل ذلك يعني أن الحصول على كواشف ذات أداء جيد يتطلب تقليل سمك إن عامل مثالية عالٍ لكن يجب [20,21]وكما ثبت في مواقع أخرى من الدراسة. إن مقدار عامل المثالية يعد قريب من الكواشف CdOغشاء ر.اإلشارة إلى أن طريقة تحضير الغشاء تودي دوراً مھماً في التأثير على مقدا تغير قيم تيار دائرة القصر مع شدة الضوء الساقط دالة لظروف التصنيع، ويتضح من الشكل أن استجابة (6)يبين الشكل مع زيادة كثافة القدرة الضوئية وھذه من الخصائص المھمة في الكواشف ونالحظ بعدھا (Region I)الكاشف خطية إلى أن الفوتونات الساقطة على الكاشف عملت على تھييج وفصل كل الذي يمكن أن نعزوه (Region II)حصول التشبع فجوة. كذلك نالحظ من الشكل نقصان التيار بالنسبة لسمك للمادة المرسبة وھذا - اإللكترونات وتكوين مزدوجات إلكترون fqII dn  2   SSCOC JlnJln q kT V  230 | Physics 2014) عام 3(العدد 27المجلد مجلة إبن الھيثم للعلوم الصرفة و التطبيقية Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (3) 2014 حاد ومن ثم تؤثر سلبا بسبب العيوب التي تعمل مراكز اقتناص للحامالت المتولدة مما يسبب زيادة في عمليات إعادة االت على قيمة التيار. إذن من ھذا المنحنى استطعنا تحديد منطقة العمل للكاشف أي عند أي قدرة ضوئية يجب تشغيله. من النتائج إذ أن المنطقة الثانية ال يصح العمل عندھا ألن mW/cm 2150ھي L(P(نالحظ أن أقصى قيمة لتشغيل الكاشف االستجابية سوف تتناقص اذ تزداد القدرة الضوئية مع ثبوت مقدار التيار الضوئي. لة لشدة اإلضاءة. من الشكل نالحظ زيادة سلوك فولتية الدائرة المفتوحة للكاشف دا (7)يوضح المنحنى البياني في الشكل مقدار الفولتية المتولدة بزيادة شدة األشعة الساقطة على الكاشف بسبب زيادة مقدار التيار الضوئي المتولد مع زيادة شدة يمة نالحظ أن ق (5)األشعة الضوئية الساقطة حيث تعتمد قيمة فولتية الدائرة المفتوحة على التيار الضوئي ومن معادلة فولتية الدائرة المفتوحة تصل إلى مقدار ثابت عند الشدات العالية بسبب الوصول إلى حالة اإلشباع. وكذلك نالحظ من الشكل مع OCVبسبب عمليات إعادة االتحاد التي تحدث داخل المادة أو التي تحصل عند السطح. إن مقدار زيادة OCVنقصان .[22] [23]في الخاليا الشمسية AM1كثافة قدرة الضوء يمثل أساس تطبيقات الخاليا الشمسية إذ أن (5) اظھرت نتائج الفحص بتقنية حيود االشعة السينية ان جميع اغشية اوكسيد الكادميوم المحضرة كانت ذا تركيب بلوري ,[220]) مع نمو ذري بثالثة اتجاھات بلوربة Cubic) من النوع مكعب (Polycrystallineمتعدد التبلور ( ولجميع االغشية المحضرة [111]وكان المميز والسائد منھا تبعاً لطريقة الترسيب المستخدمة في االتجاه [111],[200] لمقابلة لمواقع ) وزوايا الحيود البلوري hkld) وعند مقارنة النتائج التي تم التوصل اليھا من فسح السطوح (8كما في الشكل ( ) ASTMالقيم المميزة لنماذج االغشية المحضرة مع ما جاء من قيم الواردة في بطاقة للمؤسسة االمريكية لفحص المواد ( نجد ان النتائج كانت مطابقة. شكل نبضة اضمحالل فولتية الدائرة المفتوحة للكاشف المصنع ونالحظ وجود ثالث مناطق، األولى (9)تمثل الشكل يكون تركيز الحامالت األقلية المحقونة فيھا أكبر من تركيز الحامالت (High Injection)تمثل منطقة الحقن العالي حيث يكون تركيز الحامالت (Intermediate Injection)األغلبية، أما المنطقة الثانية فتمثل منطقة الحقن المتوسط Low)األقلية المتولدة األقل من تركيز الحامالت األغلبية عند التوازن، أما المنطقة الثالثة فتمثل منطقة الحقن الواطئ Injection) ازن. إن القيم والتي يكون فيھا تركيز الحامالت األقلية المتولدة أقل من تركيز الحامالت األقلية في حالة التو التي تم الحصول عليھا ھي قريبة من قيم ثنائي الوصلة السليكوني المتجانس والتي تعطي تصورا على مقدار عيوب عمليات AM1.5والقدرة األكثر يعبر عنھا mW/cm 2100إعادة االتحاد وتكون متقاربة في كال الحالتين قدرة ضوئية قدرھا وھكذا. المصادر 1.Liu , K. Sakurai , M. and Aono , M. (2010) “CdO-Based Ultraviolet Photodetectors , Sensors, 10: 8604-8634. 2. Young, S. J. ;JiChang, L.W. S.J. and Su,Y.K. (2006) CdO metal–semiconductor–metal ultraviolet sensors with various contact electrodes , J. Crystal Growth 293 , 43–47 . 3 . Xu, Z. H. DENG, J. Xie, Y. Li and Yan. Li( 2005) , Photoconductive UV Detectors Based on CdO Films Prepared by Sol-Gel Method , J.Sol-Gel Science and Technology 36,223– 226. 2004)Introduction To Micro fabrication , John Wiley and Sons , England"(4. Franssila, S. 5. Thewlis , J. (1979) Concise Dictionary of Physics and Related Subjects , 2 nd Edition , Pergamon Press. 6. Chopra , K. L. (1969) Thin Film Phenomena , Mc Graw – Hill , New York. 7. lever , K . D. (1971) Thin Films , London 8. Hampel ,C. A. and Gessner G. Hawley , (1973) The Encyclopedia of Chemistry 3 rd Edition ,169. 9. Hampel , C. A. (1954) Rare Metals Handbook , 87- 103. 10.Richard , J. ;Lewis , and Hawley´s , Sr. ( 1997) Condensed Chemical Dictionary , 13 th Edition , 189. 11.Wells , A. F. (1984) Structural Inorganic Chemistry , Oxford University , Clarendon Press.        S RB OC J J q Tk V 1ln 231 | Physics 2014) عام 3(العدد 27المجلد مجلة إبن الھيثم للعلوم الصرفة و التطبيقية Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (3) 2014 12. Omran , A. H. (1998) A study of Optical and Electrical Properties of CdO, CuO , Thin Films and Their Mixture Prepared by Chemical Spray Pyrolysis, M. SC. Thesis , Al-Mustansiriya University. 13. Smith, R. A. (1987) Semiconductor, 2nd Edition, Cambrige University Press. 14. Milnes, A. G. and Feucht, D. L. (1972) Heterojunctions and Metal-Semiconductor Junctions, Academic Press, New York. 15. Kenneth, A. J. (1987) Introduction to Optical Electronics, John Wiley & Sons, New York. 16. Arecchi, F. T.and Schulz-Dubois, E. O. (1972 ) Laser Hand Book,( 1), Amsterdam. 17. Duley ,W. W. (1976) CO2 Laser Effect and Application, Academic Press, London. 18. Sharma, B. L. and Purohit, R. K. (1974) “Semiconductor Heterojunctions, Pergamon Press, New York. 19. Sze, S. M. (1985) Semiconductor Devices, Physics and Technology, Wiley, New York. 20. Grove, A. S. (1967) Physics and Technology of Semiconductor Devices, John Wiley. 21. Raid, A. Ismail and Muhammad Muhammad, S. (2000) Fabrication and Study of the Photovoltaic Characteristics of PbS/Si Detector”, J. Eng. & Technology, 19 . 22. Song, D.; Zhao, J. ;Wang, A.and Widenborg, P. Chin, W. 8% Efficient ZnO/c-Si Heterojunction Solar Cells Prepared by Magnetron Sputtering”, Internet Paper. 23. Sharma, B. L. and Purohit, R. K. (1974) Semiconductor Heterojunctions, Pergamon Press, New York. CdOتغير النفاذية البصرية دالة للطول الموجي ألغشية ): 1شكل رقم ( 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 300 500 700 900 1100 T ra n sm it ta n ce % Wavelength (nm) 232 | Physics 2014) عام 3(العدد 27المجلد مجلة إبن الھيثم للعلوم الصرفة و التطبيقية Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (3) 2014 cdoجھد في حالة الظالم الغشية - ): خصائص تيار2شكل رقم ( cdoجھدالغشية - ): خصائص سعة3شكل رقم( ‐60 ‐40 ‐20 0 20 40 60 80 100 120 ‐6 ‐5 ‐4 ‐3 ‐2 ‐1 0 1 2 3 4 5 6 D a rk  C u rr e n t  (m A ) Bias Voltage (V) 0 1 2 3 4 5 6 ‐7 ‐6 ‐5 ‐4 ‐3 ‐2 ‐1 0 1 2 C ‐2  x  1 0 ‐3  n F ‐2 Bias Voltage (V) 233 | Physics 2014) عام 3(العدد 27المجلد مجلة إبن الھيثم للعلوم الصرفة و التطبيقية Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (3) 2014 جھد عند اإلضاءة- ): خصائص تيار4شكل رقم ( Isc-Voc ) منحنى5شكل رقم( ‐6000 ‐5000 ‐4000 ‐3000 ‐2000 ‐1000 0 ‐6 ‐5 ‐4 ‐3 ‐2 ‐1 0 C u rr e n t  (m A ) Reverse Bias (V) Dark Current (Reference) 15 (mW/cm2) 41.5 (mW/cm2) 90 (mW/cm2) 1.E‐06 1.E‐05 1.E‐04 1.E‐03 0 0.02 0.04 0.06 0.08 S h o rt  C ir cu it  P h o to cu rr e n t  (A ) Open Circuit Photovoltage (V) 234 | Physics 2014) عام 3(العدد 27المجلد مجلة إبن الھيثم للعلوم الصرفة و التطبيقية Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (3) 2014 )تغير تيار دائرة القصر لعينات6شكل رقم ( ) تغير فولتية الدائرة المفتوحة7شكل رقم( 0 50 100 150 200 250 300 350 400 0 100 200 300 400 500 600 IS C  ( m A ) Illumination Power Density (mW/cm2) 0 50 100 150 200 250 300 0 100 200 300 400 500 600 V O C  ( m V ) Illumination Power Density (mW/cm2) 235 | Physics 2014) عام 3(العدد 27المجلد مجلة إبن الھيثم للعلوم الصرفة و التطبيقية Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (3) 2014 )Si/CdO) مخطط حيود االشعة السينية لغشاء (8(شكل رقم ) صورة فوتوغرافية لشكل نبضة اضمحالل فولتية الدائرة المفتوحة9شكل رقم( 0 50 100 150 200 250 300 350 25 35 45 55 65 75 In te si ty (C P S ) Diffraction Angle2ɵ (degree) 236 | Physics 2014) عام 3(العدد 27المجلد مجلة إبن الھيثم للعلوم الصرفة و التطبيقية Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (3) 2014 Fabrication of Photodetector and Study of Its Structural and Optical Properties of Cadmium Oxide Thin Films Prepared by Vacuum Thermal Evaporation Method Samir A.Maki Zainab S.AbdulRidha Dept. of Physics/College of Education for Pure Science Ibn Al- Haitham/University of Baghdad Received in :1October 2013, Accepted in :22June 2014 Abstract The fabricated Photodetector n-CdO /-Si factory thin films Altboukaraharara spatial silicon multi- crystallization of the type (n-Type) the deposition of a thin film of cadmium and at room temperature (300K) and thickness (300 ± 20nm) and the time of deposition (1.25sec) was antioxidant thin films cadmium (Cd) record temperature (673k) for one hour to the presence of air and calculated energy gap optical transitions electronic direct ( allowed ) a function of the absorption coefficient and permeability and reflectivity by recording the spectrum absorbance and permeability of the membrane record within the wavelengths (300 - 1100nm). was used several the bias ranged between 1-5 Volts. The results showed that this reagent works to the extent spectral 400-1000 nm current revealed these findings also said that factor ideal growing thin films CdO which gives a clear indication of the increased concentration of defects.It Showed the results of measuring volume - an effort that the detector of the type of acute if the value of effort internal construction less CdO of thin films . The studies of the response spectrum showed that these reagents responsiveness characterized Bakmtin : the first at the wavelength of 600 nm and the second at the wavelength 800 nm. The highest value for the responsiveness 0.46 A / W at 800 nm wavelength and using siding Keywords: Photodetector cadmium oxide (CdO), silicon, vacuum technology, structural and optical properties.