الخلاصة دراسة بعض الخصائص الكھربائیة الغشیة التلیریوم الرقیقة المشابة بالكبریت Ө= 700 مائلة المرسبة بزاویة فرح جواد كاظم ھناء صالح سبع قسم الفیزیاء/ كلیة العلوم/ الجامعة المستنصریة 2014ایار 5، قبل البحث في 2012شباط 1البحث في استلم الخالصة (وكانت نس�بة التش�ویب بم�ادة الكبری�تالرقیقة . S: Te ة غشفي ھذا البحث جرى دراسة الخصائص الكھربائیة ال S( ) عل��ى ش��رائح زجاجی�ة ألس��ماك مختلف��ة الفراغ�ي س��تخدام طریق�ة التبخی��ر الح��راريحض�رت العین��ات با%1.2) بح�دود )1575, 1400, 1225, 1050 nm. من دراسة حی�ود االش�عة الس�ینیة الغش�یة ) للعیناتTe:S . تب�ین انھ�ا متع�ددة التبل�ور ـة درج��ة الح��رارة وك��ذلك حس��اب معام��ل س��یبیك ودراس�� مقاب��ل )R (المقاوم��ة الكھرب��ائيو التوص��یلیة الكھربائی��ةقیس��ت كم��ا (طاقة التنش�یط الكھربائی�ة تبحسذلك فضال عن ) . θ = (70º المرسبة بزاویة مائلة ) لألغشیةI-Vجھد ( -خصائص تیار Ea( وطاقة التنشیط الكھروحراریة)Es( . لجمیع االغشیة الترسیب المائل لالغشیة ، Te:Sاغشیة مفتاحیة: الكلمات ال 121 | Physics @a@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@ÚÓ‘Ój�n€a@Î@Úœäñ€a@‚Ï‹»‹€@·rÓ:a@Âig@Ú‹©@Ü‹127@@ÖÜ»€a@I1@‚b«@H2014 Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (1) 2014 المقدمة لم�ا تمتلك�ھ م�ن خص�ائص مث�ل فج�وة الطاق�ة الواطئ�ة والم�دى الطیف�ي ال�ذي یمت�د اھمی�ة كبی�رة لھ�ا غشیة التلیریومأ Shieldsin التبری�د الس�لبي االش�عاعي◌ً ثالم، واستعماالتھ الواسعة في تطبیقات كثیرة 1] [ ضمن المنطقة تحت الحمراء passive radiative cooling)(، ومتحسس���ات الغ���از(Gas sensors) 2] [3] [ ًوخ���زن المعلوم���ات بص���ریا ، (Optical information storage ) [4] وكواش�ف االش�عة تح�ت الحم�راء IR-detectors وف�ي الخالی�ا الشمس�یة ، وك��ذلك ی��دخل ف��ي تص��نیع االلی��اف (Peizo-electric device)االجھ��اد الكھرب��ائي ي. وك��ذلك ف��ي تص��نیع اجھ��زة ذ[5] Electro صور الرسم الكھربائي ة لتصنیععملغشاء في المواد المستوتدخل اھمیتھ بوصفھ ) Optical fibers(البصریة photo graphic) (، الص�ور ومس�تقبالت Photo receptors . [ 6 ] ھ�ذا الن�وع م�ن االغش�یةTe:S ومت�از بأن�ھ ذی ھ��ذه التقنی��ة ان ل��ذلك اس��تخدم الترس��یب بطریق��ة التبخی��ر الح��راري الفراغ��ي ، ج�ة انص��ھار منخفض��ة وض��غط بخ��اري ع��الدر الخص�ائص الكھربائی�ة الي ان [7]. لبخار یختلف لكل تركیز في الغش�اءتعطي اغشیة متدرجة في عمق االنتشار الن ضغط ا اثن�اء في ودرجة حرارتھا منھا نوع المادة وتركیب الغشاء وسمكھ ونوع القاعدة عدیدة غشاء رقیق تتأثر بشكل كبیر بعوامل زی�ادة التوص�یلیة الح�ظ عند دراسة الخصائص الكھربائی�ة الغش�یة التلیری�ومhaudhuri .[9] وقد وجد ] 8[ الترسیب ...الخ ) σة ( ـة الكھربائی�ـالزی�ادة ف�ي التوصیلی� Dinnoet [10]والح�ظ .مع زیادة س�مك االغش�یة ونقصان المقاومة الكھربائیة ) .A ° )350-1430منالتغیر باسماك االغشیة المحضرة مع ان الترس��یب المائ��ل یرف��ع م��ن قیم��ة االمتصاص��یة CdSعن��د دراس��تھ الغش��یة ] Ridha ]11لق��د وج��د الباح��ث ] عن�د Saied ]12وك�ذلك فق�د وج�د الباح�ث . 70o =Өومعامل االمتصاص وافضل الحاالت تحصل عند زاوی�ة الترس�یب والبزموث واالنتیمون المرس�بة بتقنی�ة الترس�یب المائ�ل ان االغش�یة تحس�نت االمتصاص�یة ومعام�ل دراستھ الغشیة التلیریوم االمتصاص�یة لالط�وال الموجی�ة القص�یرة فض�ال ع�ناالمتصاص فیھا بشكل واضح وتزاح باتجاه االطوال الموجی�ة الطویل�ة وھ�ذا 70o =Өلمدى المدروس مقارنة مع الترسیب العم�ودي وكان�ت افض�ل امتصاص�یة ھ�ي عن�د زاوی�ة الترس�یب ضمن ا ] ان جمی��ع Munaf ]13م��دیات طیفی��ة عریض��ة . واثب��ت الباح��ث يلص��ناعة كواش��ف ذی��دفع ال��ى اس��تخدام ھ��ذه التقنی��ة ) ترس��یبا م��ائال انھ��ا تش��ترك ف��ي زی��ادة اس��تجابیتھا م��ع زی��ادة زاوی��ة Sb,Bi,Teالكواش��ف المص��نعة م��ن ترس��یب الم��واد ( . بالھبوطتبدا بعدھا 70o =Өالترسیب لتبلغ قیمة عظمى عند الزاویة حراریة مالئم�ة للعم�ل الكھروالعناص�ر كث�رم�ن أ تع�دوكھ�رو حراری�ة و لةشبھ موص ا"خصائص Te:Sان الغشیة تی�ار تعم�ل عل�ىالت�ي تس�خینالتبری�د والیستفاد من تلك العناصر في تصنیع اجھ�زة ،اذ حرارة الجو الطبیعیة ضمن درجات . 14][كھربائي مباشر = 70ºب��التبخیر الح��راري الفراغ��ي وبزاوی��ة ترس��یب مائل��ة S: Teتص��نیع غش��اء الدراس��ة الحالی��ة ال��ى تھ��دف θ1575,1400,1225,1050س�مك يالغشیة ذ)nm ( الت�ي ف�ي الخص�ائص الكھربائی�ة ت�اثیر تغی�ر س�مك االغش�یة دراس�ةو قی�اس طاق�ة وك�ذلك دالة لدرجة الحرارة وحساب معامل سیبیك . Rتضمنت قیاس التوصیلة الكھربائیة والمقاومة الكھربائیة . التنشیط الكھربائیة وطاقة التنشیط الكھروحراریة الجانب العملي ص وقطع�ت حس�ب ن�وع الفح� )( microscopic glass slides ش�رائح المجھ�ر البص�ري الزجاجی�ة تاس�تخدام Base 370الفراغ�ي ن�وع الح�راري ف�ي منظوم�ة التبخی�ر )( sabstratesا" قواع�دالمطل�وب وبع�د تنظیفھ�ا اس�تخدمت Balzers تبخیر من المولبدنیوم (حویض واستخدامMo) 6-10) في حجرة التفریغ بحدودtorr( وثبتت القواع�د عل�ى حامل�ة الطریق��ة اعتم��دت عل��ى الخ��ط الواص��ل ب��ین ان��اء التبخی��ر ومرك��ز حامل��ة القواع��د وق��د 70o =Өوی��ةالقواع�د الت��ي تمی��ل بزا ) تقریب�اً . وأجری�ت 200nmاقطاب من االلمنیوم بسمك ( تبوالجراء القیاسات الكھربائیة رسالوزنیة لتقدیر سمك االغشیة : تیةاال القیاسات ودراسة عالقة التیار المار عبر الغشاء مقابل فرق الجھد بین طرفي الغشاء . : I-Vخصائص .1 ) : لقیاس التوصیلیة الكھربائیة تحسب المقاومیة الكھربائی�ة للغش�اء المرس�ب وتح�دد م�ن σالتوصیلیة الكھربائیة ( .2 : المعادلة االتیة ) 1 ( ........ ) 1/A ( = P R وم�ن ث�م mm2)وتق�اس بوح�دات ( لغش�اءمساحة المقط�ع العرض�ي ل A ، االوم)وتقاس بوحدات ( : مقاومة الغشاء Rان إذ : ]15[ ةـیمكن حساب التوصیلیة من المعادلة االتی )2 (………… ...........p 1/ =σ قواع�د زجاجی��ة) اس�تخدمت Sوألج�راء قیاس��ات الق�درة الكھروحراری�ة وحس�اب معام��ل س�یبیك ( -معام�ل س�یبیك : .3 ة م�ن ـمثب�ت عل�ى طرفیھ�ا اتص�االت اومی� ) 4mm × 43( ) لترس�یب اغش�یة وبابع�ادmm 75×125وبابع�اد ( ( درج��ة ح��رارة الم��اء )T1ة ح��رارة (ـاء ب��ارداً عن��د درج��ـطرف��ي الغش�� ) ویك��ون اح��د200nmااللمنی��وم بس��مك ( ) وثب�ت علی�ھ م�زدوج T2بینم�ا س�خن الط�رف الث�اني ال�ى درج�ة ح�رارة ( ،الجاري الذي یمر عند الطرف الب�ارد ) لم�دى الف�رق نحدار الحراري ب�ین طرف�ي الغش�اءمع تسجیل الجھد الناشيء نتیجة لال حراري لقیاس درجة الحرارة 122 | Physics @a@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@ÚÓ‘Ój�n€a@Î@Úœäñ€a@‚Ï‹»‹€@·rÓ:a@Âig@Ú‹©@Ü‹127@@ÖÜ»€a@I1@‚b«@H2014 Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (1) 2014 ف�ي اي م�ادة ین�تج انح�دار ف�ي /dX ( dT، وان وجود االنح�دار الح�راري ( )K - 293 343 ( في درجة الحرارة . 16] [ة) لتلك المادS) وان النسبة بین ھذه الكمیات تمثل معامل سیبیك ( dV/dxالجھد ( S= dv/dx /dT/dx ≈ ∆V /∆T. …. …………… (3) عند تغی�ر درج�ة الح�رارة قیاسات تغی�ر درج�ة الح�رارة م�ع مقاوم�ة االغش�یة ی�تم قی�اس التغی�ر ف�ي مقاوم�ة االغش�یة .4 ) . OC 150-10للمدى ( النتائج والمناقشة ) . م�ن حی�ود االش�عة الس�ینیة 70o =Өالمرس�ب بزاوی�ة ( Te:S حی�ود االش�عة الس�ینیة لغش�اء ) 1الش�كل ( یب�ین )Vالمار عبر االغشیة تحت تاثیر الجھد المس�لط ( I)عالقة التیار () 2الشكل (ویبین یظھر ان االغشیة متعددة التبلور. ) یس�لك س�لوكاً S:Teالغش�اء ( عالق�ة خطی�ة ف�وق م�دى الجھ�د المس�لط . وھ�ذا ی�دل عل�ى ان طرفي االغشیة وتظھ�ر لدینا في ص��غیرة ش�بھ موص��لة المتالكھ�ا فج��وة طاقة ص��ائصاالغش�یة خ ديادن وم��ع ذل�ك تب��قریب�اً م��ن المع�ادن كون��ھ م�ن اش��باه المع� ویالح�ظ ایض�اان التی�ار ی�زداد م�ع زی�ادة الفولتی�ة المس�لطة وھ�ذا دالل�ة واض�حة ال�ى ان المقاوم�ة الكھربائی�ة .] [17,18ج�داً وھ�ذا مواف�ق لم�ا ورد ف�ي ان التی�ار الض�وئي ی�زداد كلم�ا زاد س�مك االغش�یة ایض�ا الم�ار ونالح�ظتتناقص بزیادة شدة التی�ار اً للمقاوم�ة انخفاض�اً س�ریعن�ال ح�ظ ) Te:Sألغش�یة ( Tو R ) الذي یوض�ح العالق�ة ب�ین 2ومن الشكل ( . 19] [ المصدر (150OC- 30س ثم ینخفض بشكل تدریجي بسیط الى نھایة المدى الحراري الم�درو )OC 30-15( عند الدرجات الحراري ائب وارتفاع تركی�ز الح�امالت اي ان الح�رارة تس�اعد ف�ي انتق�ال وذلك ان ارتفاع درجات الحرارة تسبب زیادة في تأین الش ) یحصل نقصان في المقاومة من ثمااللكترونات من حزمة التكافؤ الى حزمة التوصیل و م�ع ونالح�ظ ایض�ا م�ن الش�كل نقص�ان قیم�ة المقاوم�ة بش�كل ع�ام ] 17[ و ]6 [ الكھربائیة وزیادة ف�ي التوص�یلیة الكھربائی�ة ) م�ع زی�ادة س�مك σمن حصول زی�ادة ف�ي التوص�یلیة الكھربائی�ة ( ]10[زیادة سمك االغشیة وھذا موافق لما ذكره الباحثون ونج�د ان التغی�ر ف�ي التوص�یلیة م�ع درج�ة الح�رارة ك�ان T/1000 و σ ln) نالح�ظ العالق�ة ب�ین 3وم�ن الش�كل ( االغش�یة . نتیجة لتغیر كل من تركیز حامالت الشحنة وتحركیة الح�امالت ذل�ك ان تحركی�ة الح�امالت تتغی�ر اس�یاً م�ع درج�ات الح�رارة :وكما في العالقة )4 (……..... ........ kBT)/exp(-E=µ : ] 20[ اما في منطقة درجة الحرارة الواطئة فأن التوصیلیة تخضع للعالقة σ= σ0 exp(-Ea/kBT) …. ..... .. .. .. . (5) : σ0 تمثل اقل توصیلیة معدنیة Ea طاقة التنشیط للتوصیلیة الكھربائیة: KB 23-10*1.38)(:ثابت بولتزمان J/K T بوحدات :درجة الحرارة المطلقةK0 ، ه الموص�التتزداد مع زیادة درجة الحرارة وھذه صفة من صفات اشباكافة غشیة ان التوصیلیة أوقد تم مالحظة ف�أن قیم�ة التوص�یلیة زی�ادة التوص�یلیة . م�ن ث�مفج�وة ) المتول�دة و –بازدیاد درجات الحرارة ی�زداد ع�دد ازواج (الكت�رون إذ [21] لزیادة في تحركیة الحامالتل تزداد بزیادة درجات الحرارة وذلك نتیجة الت�ي ) 1وكما مبین ف�ي الج�دول( )Eaطاقة التنشیط الكھربائیة ( تبحس T/1000و σ) lnبین( ومن میل الخطوط المستقیمة م�ع طاق�ة التنش�یط الكھربائی�ةنالح�ظ زی�ادة إذ ،) J 0.017688 ,0.012943 ,0.0862 ,0.0604تي (مای�أكان�ت قیمھ�ا ك . ]22[وھذا موافق لما توصل الیھ بعض الباحثین ) 4زیادة سمك االغشیة وھذا ما یوضحھ الشكل ( ة الح�رارة وبأس�ماك ترس�یب مختلف�ة ) ومقل�وب درج�Sالق�درة الكھروحراری�ة ( الذي یب�ین عالق�ة) 5ومن الشكل ( وك�ذلك زی�ادة الق�درة الكھروحراری�ة بش�كل ، نالحظ ازدیاد قیمة القدرة الكھروحراریة مع ازدیاد الفرق في درجات الح�رارة ) n-type( ان االغش��یة م��ن الن��وع ع��ام م��ع زی��ادة س��مك االغش��یة بح��دود الم��دى الم��دروس واالش��ارة الس��البة ت��دل عل��ى 2)وكمامبین في الج�دول ()Esطاقة التنشیط الكھروحراریة( تبحسT/1000) و Sومن میل الخطوط المستقیمة بین (.[23] ). 3.6J ,3.4 ,3.31 ,3.25ي (ما یأتوالتي كانت قیمھا ك زی��ادة طاق��ة نالح��ظ إذ م��ع االس��ماك المختلف��ة لالغش��یة ) Es( ) عالق��ة طاق��ة التنش��یط الكھروحراری��ة6الش��كل ( یب��ین [16] التنشیط الكھروحراریة مع زیادة سمك االغشیة وھذا موافق لما ذكره الباحثون االستنتاجات ) انھ�ا تس�لك س�لوكاً S:Teالمقاومة الكھربائیة ألغش�یة ( في ودراسة تأثیر الحرارة ) I-Vتبین عند دراسة خصائص ( معادن واشباه الاقرب الى سلوك المعادن مع انھا تبدي خصائص شبھ موصلة في بعض االحیان فھي تسلك سلوكاً وسطاً بین الموصالت كونھا من اشباه المعادن . 123 | Physics @a@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@ÚÓ‘Ój�n€a@Î@Úœäñ€a@‚Ï‹»‹€@·rÓ:a@Âig@Ú‹©@Ü‹127@@ÖÜ»€a@I1@‚b«@H2014 Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (1) 2014 ) Sالح�رارة ، وان قیم�ة (ومن نتائج القدرة الكھروحراریة تبین ان معامل سیبیك ( سالب ) وقیمتھ عالیة وتعتمد على درجة یمكن استخدامھ في صناعة كواشف االشعة تحت الحمراء . من ثمتزداد مع زیادة السمك و المصادر 1. Martin , M.and Cook, J. (1989) mit Press,Cambridge,ma, chap 4. 2. Tsiulyanu, D.and Marian , S. (2001),Impedance spectroscopy of sensitive to harmful gases tellurium thin films ,Journal of non- oxide glases,37(2 ):43-50. 3. Okuyama,K. and Kudo ,H.(1989) Single – crystalline Te microtubes: synthesis and No2 gas sensor application, Jpn. J.Appl. phys.28 (2):770. 4. Lou, D.Y.;Blom, G.M. and Kenny,G.C. (1981) Growth mechanism of Te nanotubes by a direct vapor phase process and their room –temperature Co and No2 sensing properties J.Vac. Sci. Technol,24(18):78. 5. ph.Ott, Guenter, J.R.(2000)(On the electrical and optical properties of the stratified Te thin films), Thin solid films, 366 (1-2):100 6. Engelhard, E.D.,Viney Mastai, Y. and Hodes, G. (2000) Deposition of Te films by decomposition of electrochemically-generated H2Te:application to radiative cooling devices, Thin solid films, 370(1-2):101-105. 7. Maissel, L.I. and Glang, R. (1970) Hand book of thin film technology, Mc Graw –Hill, Newyork, 1-75 . 8. Biswas, D.R.(1986) Deposition processes for films and coatings, Journal of matrials science, 21(7):2217. 9. Haudhuri, S.C. and Pal,A.K.(1981) Thermoelectric power of Te thin films and its thickness and temperature dependence,Thin solid films16(5):3331-3334. 10. Dinno, M.; Schwartz, M. and Giammara, B. (1974) Thermoelectric characterization of sputter –deposited Bi/Te bilayer thin films), J. Appl. Phys.,45(23):3328. 11. Ridha , H. (2010) Astudy of the optical properties of obliquely deposited Cds thin films, Ph.D. Thesis. , university of technology. 12. 12.Saad , R.(2001) Study in to some structural optical and electrical properties of obliquely deposited antimony, bismuth, tellurium films) Ph.D.Thesis. , university of technology. 13. Munaf ,R.(2000) Fabrication and characterization of laser induced diffusion and obliquily deposited thin film detectors for spectral range (0.4-10.6)μm)Ph.D. Thesis, university of technology. 14. Wiley, J.and Inc, S. (1980) Hand book of Encyclopedia of chemicalec 22, 658. 15. Zeghbroeck,B.V.(2007) Principle of semiconductor device,hand book of bart van zeghbroeck. 16. Morigaki,k. and Yamaguchi,M.(1999) Physics of amorphous semiconductor,word scientific publishing company. 17. Chandhuri, S.;Chakrabarti, b. and Pal , A.K. (1981) Thermoelectric power of tellurium films )(Thin solid films) 82(3):217. 18. Petersen ,C.L.; Grey, F.,and Siraky, I. (2002) Micro-point probe for studing electronic transport through surface states,Appl. Physics Letters, 77(23): 3782-3784. 19. Athwal, I.S.;Kaur, J. and Bedi, R.K.(1988) Transport properties of Te films prepard by hot wall epitaxy,Thin solid films,162(1):1-6. 20. Trackalo, M.;Moore, C.J.; Lesh, J.D. and Brodie ,D.E. (1984) Appartus for measuring seebeck coefficients of high – resistance semiconducting films ,(Rev sci., instrum) 55(5):1243-1245. 21. Chen, E. (2004)Theoretical phonon thermal conductivity of Si/Ge super lattice nanowires), Thin film deposition, 95(23)682-693. 124 | Physics @a@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@ÚÓ‘Ój�n€a@Î@Úœäñ€a@‚Ï‹»‹€@·rÓ:a@Âig@Ú‹©@Ü‹127@@ÖÜ»€a@I1@‚b«@H2014 Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (1) 2014 125 | Physics @a@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@ÚÓ‘Ój�n€a@Î@Úœäñ€a@‚Ï‹»‹€@·rÓ:a@Âig@Ú‹©@Ü‹127@@ÖÜ»€a@I1@‚b«@H2014 Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (1) 2014 22. Mehta ,N.; Kumar, D. and Kumar, A.(2005)(Applicability of kissingers relation in the determination of activation energy of glass transition),Journal of physical studies,7(9):1473-1479). 23. Marria,P.Gutierrez, Haiyong,L(2002)Thin film surface resistivity)thin solid films,2: (10)65 )t) مع سمك االغشیة(Eaیبین قیم طاقةالتنشیط الكھربائیة (:) 1( رقم جدول )t(nmسمك االغشیة )J)Eaطاقة التنشیط الكھربائیة 0.0604 1050 0.0862 1225 0.012943 1400 0.017688 1575 )t) مع سمك االغشیة (Esالتنشیط الكھروحراریة() یبین قیم طاقة 2(رقمجدول )t(nmسمك االغشیة Es)(Jطاقة التنشیط الكھروحراریة 3.25 1050 3.31 1225 3.4 1400 3.6 1575 70o=Өالمرسبة بزاویة Te:S) یبین اطیاف حیود االشعة السینیة الغشیة 1(رقم شكل Vبالجھد المسلط على الغشاء Iاالغشیةعالقة التیار المار عبر 2)(رقمشكل ) T/1000 قابلم ( Lnσ بینعالقةال) 3( رقم شكل tاء غشوسمك ال Ea طاقة التنشیط الكھربائیةبین عالقة ال) 4( رقم شكل -6.5 -6 -5.5 -5 -4.5 -4 -3.5 2.3 2.5 2.7 2.9 3.1 3.3 3.5 Linear (1400nm) Linear (1575nm) Linear (1225nm) Linear (1050nm) L n( σ) (Ώ .c m )-1 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0 2 4 6 8 10 12 14 16 V(V) I(m A) 1225nm 1400nm 1050nm 1575nm 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2 1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 t(nm ) Ea (J ) 126 | Physics @a@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@ÚÓ‘Ój�n€a@Î@Úœäñ€a@‚Ï‹»‹€@·rÓ:a@Âig@Ú‹©@Ü‹127@@ÖÜ»€a@I1@‚b«@H2014 Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (1) 2014 tالغشاء سمك فيتغیرال مقابل Es ) عالقة القدرة الكھروحراریة6( رقم شكل 3.2 3.25 3.3 3.35 3.4 3.45 3.5 3.55 3.6 3.65 1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 t(nm ) Es (J) 127 | Physics @a@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@ÚÓ‘Ój�n€a@Î@Úœäñ€a@‚Ï‹»‹€@·rÓ:a@Âig@Ú‹©@Ü‹127@@ÖÜ»€a@I1@‚b«@H2014 Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (1) 2014 A study of Some Electrical Properties of Te:S Thin Films Deposited at Angle Ө=70o Farah J. Khadum Hanaa S. Sabaa Dept. of Physics/ College of Science / University of Al- Mustanseriya Received in :1st. February 2012 , Accepted in :5th. May 2013 Abstract In this research a study of some electrical properties Of (Te) thin films with(S) impurities of(1.2%) were deposited at( Ө=700)by thermal evaporation technique .The thicknesses of deposited films were (1050 , 1225 , 1400 , 1575 nm) on a glass substrates of different dimensions . From X-ray diffraction spectrum, the films are polycrystalline .A study of (I-V) characteristic for thin films, the measurements of electrical conductivity (σ)and electrical resistance(R )vs. temperature( T) are done. Further a measurement of thermoelectric power, see beck coefficient and activation energies ( Ea, Es) were computed. Keyword :Te S films, obliquely deposited films 128 | Physics @a@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@ÚÓ‘Ój�n€a@Î@Úœäñ€a@‚Ï‹»‹€@·rÓ:a@Âig@Ú‹©@Ü‹127@@ÖÜ»€a@I1@‚b«@H2014 Ibn Al-Haitham Jour. for Pure & Appl. Sci. Vol. 27 (1) 2014