2009) 4 (22مجلة ابن الھیثم للعلوم الصرفة والتطبیقیة المجلد في المحضر بطریقة التبخیر الحراريCdS لغشاء ةیدراسة الخصائص البصر الفراغ عليهناء فلیح، بالوهبتول درعم، علويهند فاضل قسم الفیزیاء ، كلیة العلوم للبنات ، جامعة بغداد الخالصة -10)تحـت ضـغط في الفراغ التبخیر الحراري بطریقة(CdS) متجانس من مادة كبریتید الكادمیومر غشاءّحض 6Torr) ورسب على ارضیة زجاجیة باسـتخدام حـویض مـن مـادة المولبیـدنیوم (Mo) . البـصریة لـه التـي درسـت الخـصائص ـا . nm(900-300)لموجیــة ضــمن مــدى االطــوال ااالمتــصاصیة واالنعكاســیةوتــشمل النفاذیــة معامــل االنكــساردرس كمـ تـوالي لاسموح والممنـوع وكانـت قیمتهـا علـى المـالمباشـر متصاص وفجـوة الطاقـة البـصریة لالنتقـال معامل االو ومعامل الخمود 2.4eV 2.25 وeVیصل إلى ٍ"یا عال الغشاء معامل امتصاص، وكان α>10 4cm-1 . المقدمة ـة كبیــرة اد شــبه الموصـلة إلــى بدایــة القـرن التاســع عــشر فقـد كــان لالغــشیة الریعـود االهتمــام بدراسـة المــو قیقـة اهمیـ ات التــيكیى شـكل مــادة الــسلیكا والــسل الـسلیكون المتــوفر بكثــرة علــجـاالت فمنــذ القــدم اســتعملمعدیــد مــن ال فــي العماللالسـت وفـي طـالء ،یرامیك في الـسزجاج المستعملصناعة ال مثل، من مادة القشرة االرضیة في العدید من المجاالت(%25)تؤلف ـال التطبیقــات العملیـــة فاســت]2، 1[فــضةالزجــاج بــامالح ال ــات كمعمل الــسلینیوم ، ثـــم دخلــت اشــباه الموصـــالت فــي مجـ قومـ (Rectifiers)ـارات المتناوبــة ذ ـام التـــردد الــواطيء فـــي ي للتیـ ـم بعـــدها اســتعمال)1889(عـ ا تـ ـام ، كمـــ اوكـــسید النحــاس عــ . ]3[البطاریاتاسع كمقومات قدرة واطئة في شاحنات بشكل و) 1927( ة بلاستبدلت الكواشـف ا) 1939(وفي عام صـنع الترانزسـتور ودخلـت) 1946(صمامات الحراریـة، وفـي عـام الـبلوریـ تقـوم هــذه ) 1954(فـي عـام خلیـة شمـسیة مـن مـادة الـسلیكون اول،اذ صـنعتا الشمـسیةاشـباه الموصـالت فـي تـصنیع الخالیـ ت اشـباه لـخدو، ]4[درة في السفن الفـضائیةمصدر قك استعملتتحویل الضوء إلى طاقة كهربائیة بكفاءة مقبولة بعدهاالخلیة ب . ]5[ في انتاج اول لیزر شبه موصل(GaAs) ارسنید الكالیوم اذ استعمل) 1962(تقنیة انتاج اللیزر عام في الموصالت ویمتلـك فجـوة طاقـة مباشـرة (II-VI)) الـسادسة-الثانیـة ( احد مركبات شبه الموصـلة للمجموعـة(CdS)یعد مركب (Direct Band Gap) ومعامـل امتـصاص عـال ،ٍ(α>10 4cm-1)،تـاج اغـشیة ویمكـن ان]7، 6[ فـي مـدى الطیـف المرئـي ام بـشكل ملحـوظ بهـذه المـادة خــاللمــوقـد ازداد االهت. اصـفات عالیـة الجـودة وبتقنیــات متعـددة وبكلفـة قلیلـة مويرقیقـة منـه ذ ــا فــي ت ـات التوصــیلیة الـــضوئیة ًالــسنتین االخیـــرة بــسبب اثباتهـــا نجاحـ ـا الشمـــسیة وكواشـــف عــن" فـــضالطبیقــ ــائط والخالیـ النبـ .]8[اتت والثنائیااالشعاع ا یـــستعمل ــات الـــضوئیة كمـــ وبــــسبب ] 11 [Piezo-electronicو ]Optoelectronic] 9 ،10 فـــي االلكترونیـ ة متوسـطةCdSامتالك ت مـع مـواد اخـرى لتكـوین ي كلفـة واطئـة فقـد اسـتعمل تحویـل مقبولـة واسـتقراریة وذةیـ وكفا، فجوة طاقـ .]CdS/CdTe ]12 ،13ٍ و CdS/Cu2Sخالیا شمسیة متعددة المفارق مثل 2009) 4 (22المجلدمجلة ابن الھیثم للعلوم الصرفة والتطبیقیة ـا ة باضـــافة كمـ ه یكـــون اصـــباغ حراریـــة ثابتـــ امق الـــى ، اذ الیـــهHg وCdTeّانـــ ــر الغـــ یتغیـــر اللـــون مـــن االحمـ ـتعماله . ] 14[االصـفر ة نفـاذة للــضوء المرئـي الن حزویمكـن اسـ ء هــي مــة الطاقـة للــضوء المرئـي عبــر الغـشاأغـشیة رقیقــ 3.0eV-1.5eV ]15 ،16[كما یـستعمل CdS لغـاز لكمتحـسس المحـضر بطریقـة التبخیـر(Gas sensors) للكـشف عـن . ]18[ (Decorative and protective coating)یة والدیكور ا كغالف للحم وكذلك یستعمل] 1[7االوكسجین CBDو ، Sputteringوطریقـة الترذیــذ الفـراغ عدیــدة منهـا التبخیـر الحـراري فــيقائـ بطرCdSتحـضر اغـشیة (Chemical bath deposition) ، وMOCVD (Metal organic chemical vapour deposition)والـرش Spray ، وMBE (Molecular beam epitaxy) و SILAR (Successive ionic layer adsorption and reaction) و Screen Printing ]19 [ . یقـة تتمیــز بهـذه الطر ان االغـشیة المحـضرةتبخیــر الحـراري فـي الفـراغ، اذ طریقـة الد تـم فـي هـذا البحـث اسـتعمالوقـ . ]20[ها من الشوائب والتجانس وخلوباالنتظام الجانب العملي ة تبخیـر مـن نـوع CdSغـشاء تـم فـي هـذا البحـث تحـضیر تحـت (Lybold Coating Unit) باسـتخدام منظومـ 10)ضغط واطيء بحدود -6Torr) المولبیـدنیوم مـادةمـنمـصنوع م حـویض ااسـتخدب (Mo) ا مـع رتالتـي اختیـ لعـدم تفاعلهـ 2890K)نـصهارها عالیـة حـوالي والن درجـة االمواد المراد تبخیرهـا o ایر نفـسهامـن المـادةغطـاء مثقـب وللحـویض ( لمنـع تطـ Soda) علـى قواعـد زجاجیـة مـن نـوع (0.951μm)بـسمك (CdS)وتـم ترسـیب غـشاء . مادة الغشاء خالل عملیة الترسـیب glass) وبمعدل ترسیب في درجة حرارة الغرفة(360Å/s). القیاسات البصریة (Transmittance) (T)والنفاذیـة ، (Absorbance) (A) التـي تـشمل االمتـصاصیة البصریةاجریت القیاسات طة جهازاس بوnm(900-300) النقي ولمدى االطوال الموجیة (CdS)لغشاء (uv/vis Double Beam Spectrophotometer pu-8800) ذي الحزمتین المجهز من شركة (Philips) . : تخدام العالقة االتیةسة والنفاذیة باصاصی االنعكاسیة من طیفي االمتتبسح ...(1) 1 TAR  :حیث ان R :االنعكاسیة ،A :االمتصاصیة ،T :النفاذیة :]21[ًفقا للعالقة وب فقد حس(Absorption Coefficient)أما معامل االمتصاص ...(2) 2.303(A/t)حیث ان: t : سمك الغشاء المحضر(μm) ،α :متصاص معامل اال(cm-1) ـیس ــي تعــد مــن افــضل الطراذ قـ ــمك ق ائـــســمك الغــشاء بالطریقــة الوزنیـــة وطریقــة التــداخل الــضوئي التـ ة فــي قیــاس سـ الدقیقــ .]22[االغشیة :[23] ًى معامل االمتصاص وفقا للعالقةً معامل الخمود اعتمادا علبحس ...(3) 4 K          :حیث ان K :معامل الخمود ،λ :الطول الموجي :]24[ً االنكسار وفقا للعالقة االتیةومن خالل معرفة معامل الخمود واالنعكاسیة الطیفیة یمكن حساب معامل 2009) 4 (22المجلدمجلة ابن الھیثم للعلوم الصرفة والتطبیقیة ...(4) R)]-R)/(1[(11)(K-R)-R/1[(1n 1/222  ـا ت مـن الدراســاةیاب فجــوة الطاقــة البــصرالبــصریة وحـسًبــصریة بـدءا مــن الثوابــت لتعـد دراســة الخــصائص ا المهمــة لعالقتهـ . الءمتها للتطبیقات المختلفة المواد شبه الموصلة وتحدید مدى مبسلوكیة النتائج والمناقشة طیف االمتصاصیة والنفاذیة واالنعكاسیة للغشاء المحضر . 1 Absorbance and Transmittanceاالمتصاصیة والنفاذیة - ة طیـف النفاذیـة لغـشاء . دالـة لطاقـة الفوتـونكطیـف االمتـصاصیة ) 1 (الشكلیبین دالـة لطاقـة ك (CdS)مـن دراسـ نفاذیـة الـذي یعـزى إلـى التوافـق فـي اتجاهیـة الحبیبـات وفـي لیالحظ ظهور قمم التداخل في طیف ا) 2(الفوتون كما في الشكل ه، وكمـا رضیة التي تم تراتجاه مستوى االنماء البلوري الموازي لسطح اال نالحـظ ان الغـشاء المحـضر یمتلـك سیب الغشاء علیـ عنـد حافـة االمتـصاص التـي تمثـل الحـد الفاصـل بـین المنطقـة التـي یكـون فیهـا امتـصاص الـضوء %70نفاذیة عالیة بحـدود ). المنطقة الشفافة للضوء ("ًعالیا والمنطقة التي یكون فیها امتصاص الضوء قلیال Reflectanceاالنعكاسیة - ً اعتمــادا علـى العالقــة حـسبتتــي ل ا(CdS)دالـة لطاقــة الفوتـون لغـشاء كاســیة تغیــر طیـف االنعك) 3(ن الـشكل ییبـ ًیالحظ تزاید االنعكاسیة تدریجیا مع تزاید طاقة الفوتون بعدها نحصل على هبوط تدریجي مـع زیـادة طاقـة الفوتـون ثـم اذ )1( ًقـد یكـون سـبب هـذا التغیـر هـو االخـتالف فـي امتـصاصیة االغـشیة فـضال عـن و. لفوتونیة العالیـةازیادة سریعة عند الطاقات .التركیب البلوري لالغشیة Absorption coefficientحساب معامل االمتصاص . 2 ــات ،اذیــف النفاذیــة واالنعكاســیةس معامــل االمتــصاص مــن طقــی ـد معامــل االمتــصاص علــى طاقــة الفوتونـ یعتمـ ونــوع االنتقــاالت االلكترونیـة التــي تحــدث بـین الحــزم الطاقیــة ومــن ةیالطاقــة البـصرالـساقطة وخــواص شــبه الموصـل وفجــوة . زم الطاقیة لالغشیة المحضرةخالله یتم وضع تصور تقریبي على هیكلیة الح ــة الفوتـــون لغــشاء تغیـــر معامــل االمتـــصاص ) 4 (یوضــح الـــشكل ــظ ان معامـــل (CdS)البـــصري مــع طاقـ ویالحـ عالقـة اسـیة كمـا یالحـظ ،یادة طاقة الفوتون وان العالقة بین معامل االمتصاص وطاقة الفوتونًاالمتصاص یزداد تدریجیا بز یـدل ممـا (2.6eV-2.25)ح بـین والتـي تتـرا الفوتونیـة العالیـة تًایضا زیادة سـریعة فـي معامـل االمتـصاص فـي مـدى الطاقـا لقـد بینـت . تقـدیر قیمـة فجـوة الطاقـةمـن ثـممنطقـة االمتـصاص االساسـیة ویـساعد فـي تحدیـد على حصول انتقـاالت مباشـرة المحـضر بطریقــة الـرش الكیمیـائي زیـادة سـریعة فــي معامـل االمتـصاص فـي مـدى الطاقــات CdSالدراسـات الـسابقة لغـشاء ویالحــظ ان معامــل االمتــصاص ] 2[6 (2.6eV-2.4) وبــین ]25 (2.48ev-2.25)[الفوتونیــة العالیــة التــي تتــراوح بــین . اقة الفوتون بصورة بطیئة عند الطاقات الواطئة ثم یزداد التغیر بسرعة بالقرب من طاقة االمتصاصیتغیر مع تغیر ط 10)یمتلـك كبریتیـد الكـادمیوم معامـل امتـصاص عـال یـصل مـداه إلـى 4cm-1) ـا عنـد الطاقـات الفوتونیـة العالیـة ممـ . قاتیرجح احتمالیة حصول انتقاالت الكترونیة مباشرة ضمن هذا المدى من الطا ـتنتاج انـواع االنتقـاالت االلكترونیـة فعنــدما تكـون قـیم معامـل االمتــصاص ان معامـل االمتـصاص یـساعد علـى اسـ α>10)عالیة 3 cm -1 عند الطاقات الفوتونیة العالیة یتوقع حدوث انتقاالت الكترونیة مباشرة وتكون طاقة زخم ( 2009) 4 (22 المجلدمجلة ابن الھیثم للعلوم الصرفة والتطبیقیة ـا عنــدما تكــون قـیم معامــل االمتــصاص واطئــة عنــد الطاقــات (α<103cm-1)االلكتـرون والفوتــون محفــوظتین، أمـ ، 23[ فونــونون والفوتــون بمــساعدةالفولتیـة الواطئــة یتوقــع حــدوث انتقــاالت الكترونیـة غیــر مباشــرة وفیهــا یحفــظ زخـم االلكتــر 24[. Optical Constants حساب الثوابت البصریة. 3 للمـواد شـبه الموصـلة مـن خــالل الثوابـت البـصریة التـي تـضم معامـل الخمـود ومعامــل ةیتوصـف الخـصائص البـصر . ]26[لتطبیقات المالئمة لهذه المواداالنكسار والتي من خاللها یمكن التعرف على نوع ا Extinction Coefficientمعامل الخمود - یالحظ ان معامل الخمود یسلكاذ ،(CdS)ل الخمود دالة لطاقة الفوتون لغشاء تغیر معام) 5(یبین الشكل ًسلوكا مشابها لمعامل االمتصاص الرتباط معامل الخمود مع معامل االمتصاص بموجب العالقـة حیـث یـزداد معامـل ) 3(ً .الخمود مع معامل االمتصاص ًكما ویالحظ ان معامل الخمود یزداد تدریجیا بتزاید طاقة الفوتون ثم یتناقص تدریجیا یعقبها زیادة سـریعة جـدا عنـد ً ً ـات الفوتونیــــة العالیــــة ـــشاء . الطاقــ ــات الــــسابقة لغـ ــق علیــــه مــــع الدراســ ـــرش المحــــ(CdS)وهــــذا الــــسلوك متفــ ة الـ ضر بطریقــــ .]26، 25[الكیمیائي Refractive Indexار سكمعامل االن - ًب اعتمــادا علــى حــسضر الــذي حــم ال(CdS) تغیــر معامــل االنكــسار مــع طاقــة الفوتـون لغــشاءیبــین) 6(الـشكل ).4(العالقة بینت النتائج ان طبیعة تغیر معامل االنكسار مع طاقة الفوتون مشابهة لطبیعة تغیر االنعكاسیة مع طاقة الفوتون نتـائج االنعكاســیة الطیفیـة وتغیرهـا علــى تلالنعكاسـیة الطیفیـة، علیــه انعكـسان معامــل االنكـسار هـو دالــة اذ للغـشاء نفـسه . نتائج معامل االنكسار .Jاكد البـاحثون اذ معامل االنكسار یتغیر مع تغیر ظروف التحضیر والتقنیة المستخدمة في التحضیر، ان سلوك Aranda et alاالنكسار عند الطاقـات وزیادة خفیفة في قیم معامل ]23[ معامل االنكسار تزداد بزیادة طاقة الفوتونمی ان ق . ]25[العالیة Optical Band Gapحساب فجوة الطاقة البصریة . 4 (αhυ)[ عند رسم العالقة البیانیة بین كل من 2 (αhυ)و 2/3 (αhυ)و 1/3 (αhυ)و 1/2 (hυ)مـع طاقـة الفوتـون ] ، لممنوعـة لمـسموحة والممنوعـة وفجـوة الطاقـة غیـر المباشـرة المـسموحة واة الطاقـة المباشـرة ایمكـن مـن خاللهـا حـساب قیمـة فجـو ة بـین .علـى التـوالي (αhυ)وعنـد رسـم العالقـة البیانیـ حـصلنا علـى افـضل رسـم بیـاني یمكـن ان یكــون (hυ)وطاقــة الفوتـون 2 ـال الم لتحــدhυامتــداد الخــط المــستقیم یقطــع محــور ـة فجـــوة الطاقــة لالنتقـ كمــا موضـــح (CdS)ء باشــر المــسموح لغــشاد قیمـ ـا ) 7(بالـشكل والبحــوث المنـشورة ضــمن تقنیــات تحــضیر تتفــق مــع نتـائج المــصادر وهـذه النتیجــة . (2.4eV)وكانــت قیمتهـ . ([31,30,29,28,27,24,23,21,19] (2.52eV-2.46) بین كانت قیمتها تتراوح التي مختلفة ا یـشیر إلـى ً خطیا عند مدى الطاقات العالیة ولـم یظهـرًح الشكل تغیرایوض هـذا الـسلوك مـع المنحنیـات االخـرى ممـ ني المباشر المسموح في الغشاء المحضر، هنـاك تفـاوت بـین القـیم المستحـصلة لفجـوة الطاقـة وتأثرهـا وحصول االنتقال االلكتر . بآلیة تكوین االغشیة والظروف المصاحبة لعملیة التحضیر 2009) 4 (22 المجلدمجلة ابن الھیثم للعلوم الصرفة والتطبیقیة ونوعهـا علــى التركیـب البلــوري للمـادة وكیفیـة توزیــع الـذرات فـي الــشبیكة البلوریـة وتركیــب تعتمـد قیمـة فجــوة الطاقـة ًفـي احـداث تغیــرا ً، وهـذا یعنـي ان أي تغیـر فـي الخـصائص التركیبیـة والمعلمـات االخـرى یكـون سـببا]23[المـستویات الطاقیـة .غشیةنوع االنتقاالت التي تحصل في االة الطاقة وفي في قیمة فجو ـة لالنتقــالان) 8(الــشكل فـــي جــدو وان قیمـــة (2.25eV) وتـــساوي (CdS) الممنـــوع لغــشاء باشـــرم ال فجـــوة الطاقــ ة یـصل مــداها إلـى 10)معامـل االمتـصاص عنـد هــذه الطاقـ 3cm-1) ممـا یؤكــد ان قیمـة الطاقـة المحــسوبة هـي فجـوة الطاقــة . لمباشر الممنوعلالنتقال ا . ة فجوة الطاقة لالنتقال المباشر الممنوع اقل من قیمة فجوة الطاقة لالنتقال المباشر المسموحمیالحظ ان قی االستنتاجات . وبنجاح بطریقة التبخیر الحراري في الفراغ(0.951) بسمك (CdS)تم الحصول على غشاء .1 . على التوالي(2.25eV) و eV(2.4)تساوي والممنوع المباشر المسموح یمتلك كبریتید الكادمیوم فجوة طاقة لالنتقال .2 .ان العالقة بین معامل االمتصاص، معامل االنكسار، االنعكاسیة ومعامل الخمود مع طاقة الفوتون هي عالقة اسیة .3 10) معامل امتصاص عال یصل مداه الى (CdS)یمتلك .4 4cm-1)ل مـداها الـى عند الطاقات الفوتونیة العالیـة التـي یـص (2.6eV)مما یرجح احتمالیة حصول انتقاالت الكترونیة مباشرة ضمن هذا المدى من الطاقات . المصادر 1. Smith,R.A. (1987), Semiconductors,Cambridge,University Press 2nd ed. 2. Sze, S.M. "Semiconductor Devices Physics and Technology", John Wiley and Sons, New York. 3. Seeger, K. (1978), Semiconductor Phys., Wien, New York. 4. Green,M.A. (1989) Solar cells,Translated by Y.M.Hassan,University of Mosul. 5. Kandela,S.A. (1988), Laser Phys., University of Baghdad. 6. Heo,H.; Thn, R.; Lee, R.; Han, Y. and Kim, D. (2003), Solar Energy Maerials and Solar Cells, 75: 193-203. 7. Cruz,L.R.; de Avillez, R.R.; de Superficies Y de Vacio,(1999) 9, 92-95. 8. Al-Ani, S.K.; Ismail,R.A.; Al-Ta`ay. H.F. (2005) Iraqi J. of Appl. Phys.1,2,13-17. 9. Iyechika,Y.; Wigner, G.; Jager, D. ;Witt A. and Klingshirn C. (C1988) SPIE Opt. Comput., 88,103. 10. Bogdanov S.V. and Lyssenko, V.G. (1988) Phys.Status Solidi,B150,593. 11. de Kerk ,J. and Kelly, E.F. (1964) Appl. Phys. Lett.5,2. 12 Lee J.S and Im,H.B. (1980) J. Mater. Sci., 4,703. 13.Nakayama, N.; Matsumoto,H.; Nakano A.; Ikegami,S.; Uda, H. and Yamashita,T. (1980) Japn. Phys., 4,703. 14.www http://en.wikipedia, the free encyclopedia. 15.Okujagu, C.U. and Okeke,C.E. (1997) "Effect of material properties on the transmission of selective transmitting thin films, NJP, 9,1. 16.Cody,C.A.; Brook, B.G. and Abele, B. (1982) "Optical absorption above the optical gap of amorphous silicon hydraie", Solar Energy Materials, 231-240. 17.Smyntyna,V.A.; Gersutenko, V. Sashulies, S. (1994) Sensors and Actuators B, 18-19, 464. 2009) 4 (22مجلة ابن الھیثم للعلوم الصرفة والتطبیقیة المجلد 18.Ibanga,E.J.; Okeke, C.E. and Ahmed, A.D. (2003) "Growth and characterization of Aluminum antimonide film produced by chemical bath deposition technique, NJP, 15,1. 19. Ates, A.; Yildirim,M.A.; kundakci, M. and Yildirim,M. (2007) "Investigation of optical and structural properties of CdS thin films, Chinese J. of Phys., 45, 2-1, 135-141. 20Al-Ani, S.K.J. ; Ismail,R.A. and A-Taa`y, H.F. (2006) J. Mater Sci., Mater Electron, 17:819-824. 21. Rusu ,G.G and Caraman, I. A: (2000) Appl. Phys., 70(5):565. 22Chopra,K.L. (1969) "Thin films phenomena", McGraw-Hill, New York. 23. Pankove, J.I (1971). Optical processes in semiconductors, Prentice-Hall, New Jersey,. 24.Alias,M .F. (1998) ,Optoelectronic study of a Se-Ge-Al a-Si-Ge-Al(As): H Films,Ph.D.Thesis,University of Baghdad,Department of physics. بطریقة المحضرةCdSتاثیر التشعیع على الخواص البصریة الغشیة ")1998(جاكلین هاري نجوان .25 .الجامعة المستنصریة-الة ماجستیر، رسالرش الكیمیائي الحراري 27.Senkhil,K.; Manalraj ,D. and Narayandass,K.Sa. (2001)"Structural and optical properties of CdS thin films" Science Direct,169-170,15,476-479. 28.Ates,A.; Yildirm,M.A.; Kundakci, M. and Yildirim ,H.: (2008), Investigation of energy gap and optical properties of cubic CdS epilayers", Applied Surface Science, in press. ـادمیوم ) "1997(ســعاد غفــوري،.26 تــصنیع ودراســة الخــصائص الكهروبــصریة لكاشــف التوصــیل الــضوئي فــي كبریتیــد الكـ . كلیة التربیة للبنات- جامعة بغداد-ستیر، رسالة ماج" بطریقة الرش الكیمیائي الحراري(CdS:Cu)المطعم 29. Patidar, D.; Sharma,R.; Jain, N. ;Sharma T. and Saxena, N. (2006), Optical properties of CdS Sintered film, Bull. Mater. Sci., 29,1,21-24. 30. Ugwu, E.L. (2006), Optical properties of Iron Halide (FeCl2) thin film deposited using solution growth technique (SGT). PJST 7,2,97-102. 31. Ugwa, E.I. Onah,D.U. (2007), Optical characteristics of chemical bath deposited CdS thin film characteristics within UV, Visible, and NIR radiation", the Pacific Journal of Science and Technology, 8(1): 155-161. دالة لطاقة الفوتونCdSطیف االمتصاصیة لغشاء ): 1(شكل دالة لطاقة الفوتونCdSطیف النفاذیة لغشاء ): 2(شكل 2009) 4 (22مجلة ابن الھیثم للعلوم الصرفة والتطبیقیة المجلد 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1 1.5 2 2.5 3 Phot on Ener gy(eV) A b s o rp ta n c e 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.5 2 2.5 3 Photo n Ene rgy(eV) Tr an s m it ta n ce دالة لطاقة الفوتونCdSطیف االنعكاسیة لغشاء ): 3(شكل تغیر معامل االمتصاص البصري مع طاقة الفوتون): 4(شكل تغیر معامل الخمود مع طاقة الفوتون): 5(شكل تغیر معامل االنكسار مع طاقة الفوتون): 6(شكل 2009) 4 (22یقیة المجلدمجلة ابن الھیثم للعلوم الصرفة والتطب 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2 0.22 1 1.5 2 2.5 3 Photon Energy(eV) R ef le ct an ce 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 1 1.5 2 2.5 3 Photon Ener gy(eV ) E xt in et io n C o ef fic ie n t 1.5 1.7 1.9 2.1 2.3 2.5 2.7 2.9 1.2 1. 4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 Photon Energy(eV) R ef ra ct iv e in d ex 3 /2 0 5000 10000 15000 20000 25000 1 1.5 2 2.5 3 Pho ton Energ y(e V) A bs or pt io n Co ef fi cie nt (c m -1 ) (αhυ)): 7(شكل مع طاقة الفوتون2 (αhυ)): 8(شكل 2/3 مع طاقة الفوتون IBN AL- HAITHAM J. FOR PURE & APPL. SCI VOL.22 (4) 2009 0 500 000 000 1000 000 000 1500 000 000 2000 000 000 2500 000 000 3000 000 000 3500 000 000 1 1.5 2 2.5 3 Photon Energy(eV) (a hv )^ 2( eV .c m -1 )̂ 2 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1 1.5 2 2.5 3 Photon Energy(eV ) (a hv )2 /3 (e V .c m -1 )2 /3 Study of Optical Properties of CdS Films Prepared by Thermal Evaporation in Vacuum H.F.Elawi, B.D.Balwa, H.F. Ali Department of Physics , College of Science for Women, University of Baghdad Abstract CdS films were prepared by thermal evaporation at pressure (10-6torr) of 1μm thickness onto glass substrate by using (Mo) boat. The optical properties of CdS films, absorbance, transmittance and reflectance were studied in wavelength range of (300-900)nm. The refractive index, extinction coefficient, and absorption coefficient were also studied. It's found that CdS films have allowed direct and forbidden transition with energy gap 2.4eV and 2.25eV respectively and it also has high absorption coefficient (α >10 4cm-1).