مجلة إبن الھیثم للعلوم الصرفة و التطبیقیة 2012 السنة 25 المجلد 1 العدد Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Science No. 1 Vol. 25 Year 2012 الخواص التركیبیة والبصریة ألغشیة في Znدراسة تاثیر التلدین والتشویب بـ CdTeالرقیقة سرمد مهدي علي، علیة عبد المحسن شهاب جامعة بغداد ، كلیة التربیة أبن الهیثم ،قسم الفیزیاء 2011 ایار 25: ، قبل البحث في 2011 نیسان 21: استلم البحث في الخالصة ـــ نقیــة الCdTe أغــشیةحــضرت ومعـــدل nm(25±400)عنــد ســمك ) 1، 2، 3، 4، 5%(بنــسب Zn والمــشوبة ب ة بطریقـة )nm ) 2±0.1ترسـیب . للقاعـدة المرسـب علیهــا.R.Tعنــد التبخیــر الحـراري بـالفراغ المرسـبة علـى قواعــد زجاجیـ . مدة ساعة واحدة )K)673,623,573,523وجرى تلدین النماذج عند درجة حرارة . XRD عتماد حیود االشـعة الـسینیةباة وغیر المشوبة دراسة الخصائص التركیبیة لالغشیة المحضرة المشوبوقد تمت ا مكعبـا مــع هیمنـة االتجـاه وامتالكهـاوجـد ان تركیـب االغـشیة كـان متعــدد البلـورات ف ً تركیبـ غـشیة غیـر المــشوبة أل ل[111]ً ة عنـد درجـة حـرارة غـشیة مـا األأ. ة الحیـود عنـد التـشویبخارصین مع ازاحة في زاویـ من ال% )3,2( والمشوبة بنسبة الملدنـ K )573 ( لـ مع ظهور قمم جدیدة [111] االتجاه فیالحظ تناقص بالشدة عند% 3والمشوبة بـ ZnTeو Te. nm(400-1100) المـوجي طـولسجل طیف النفاذیة دالـة للو طبیعـة االنتقـال ومعرفـة فجـوة الطاقة،لولألغـشیة كافـة ولقـد .معامـل االنكـسار و، وقـد شـملت الثوابـت البـصریة حـساب معامـل االمتـصاص. ابـت البـصریة دالـة لطاقـة الفوتـونوالثو ذ كانت قیمتهـا لالنتقـال المباشـر المـسموح ا ،وجد ان قیم فجوة الطاقة لالنتقال المباشر المسموح تقل مع زیادة نسبة التشویب )e V (1.62 (1.585)وتبدأ بالنقصان الى .ةغشیة غیر المشوبالى األبالنسبة eV امـا التلـدین فقـد ،%4لالغـشیة المـشوبة .عمل على زیادة فجوة الطاقة حیود االشعة السینیة ، التبخیر الفراغي، نقیة الCdTeأغشیة : الكلمات المفتاحیة المقدمة ُّیعـد ـادمیومُ الباحــث CdTeأول مـن حــضر المركـب و] .1[ مـن المركبـات المعروفــة الكثـر مـن مئــة سـنة تیلرایـد الكـ )Frerichs ًیـا تحـت اسـم كیمائCdTe ویـصنف .]2[من تفاعل الكـادمیوم وبخـار التیلرایـد فـي غـاز الهایـدروجین ) 1947- Cadmi( مركبات الكادمیوم um Compounds(وكذك ینتمي إلى مجموعة مركبات الجالكوجینات ،(Chalcoginides) ، ولـه وزن " یتحلل الى مركباته تحت رطوبة الجو وعند درجـة حـرارة مرتفعـة " یذوب بالماء وهو ذو لون اسود ، كثیف ، ال كمیـة هـي االعلـى یـة من بین مركبات مجموعته مما جعلـه ذا كفا50 ، ویمتلك المركب اكبر معدل عدد ذري 240جزیئي مجلة إبن الھیثم للعلوم الصرفة و التطبیقیة 2012 السنة 25 المجلد 1 العدد Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Science No. 1 Vol. 25 Year 2012 ُّوتعد اغشیة ] . 2,3[ذي القواعد السلكونیة )X-ray, -ray(مقارنة بكاشفات االشعة ُCdTe منافسا قویا الرضیة الخالیا � ً ة بــسبب امتالكهـــا فجــوة طاقــة مباشــرة ومعامـــل ، .R.T عنــد eV 1.53بحــدود ) Direct Eg(الشمــسیة واطئــة الكلفــ 10<ًعالیا ) Absorption Coefficient(امتصاص 4 cm -1 ) α([1,4]. عند الطیف المرئي ـــى ذلـــك یمكـــن ترســـیب " وفــضال ــاCdTeاغـــشیة عل ــأكثر مـــن تقنیـــة ، ومنهـ Va(التبخیـــر الفراغـــي : ٍ بـ cuum Evaporation(الجدار الحار و، والتبخیر الومیضي ذ )Hot-Wal l Flash Evaporation( والترسیب بالحزمة الجزیئیة ، )Mol ecular Beam Depos i tion ( والترسیب الكهربائي ،)El ectrodepos i tion ( والترذیذ ،Sputtering) (]4[. ـة ـام الكثیــر مـن البــاحثین بدراسـ Sa( بــین الباحــث اذ ،CdTe الغــشیة الخــصائص التركیبیــة والبـصریة ولقـد قـ ha ( ُوجماعتــه أن قیاســات حیــود االشــعة الــسینیة تظهــر أن اغــشیة ُ)CdTe (تركیــب والمرســبة علــى قواعــد مــن الزجــاج هــي ذ )FCC ( س ، وان ثابت الشبیكة الموازي لألسا] 111[متعددة التبلور باتجاه الوجهa CdTe =0. 648 nm ]5. [ بنسب وزنیة Znبتحضیر اغشیة رقیقة من تیلراید الكادمیوم النقیة والمطعمة بالخارصین ) Hanaa(قامت الباحثة و ر ، nm/sec 0.5بمعدل ترسیب nm 300 بسمك )K =Ts (423مختلفة مرسبة على ارضیات زجاجیة عند بتقنیة التبخی 10×2راغ الحراري بف -5 torr ، فاظهرت النتائج أن كل االغشیة المحضرة هي تراكیب متعددة التبلور ومن النوع المكعبي بلوري) 111(باتجاه مفضل ت وكذلك فان االغشیة النقیة ذ. إال أن التشویب حسن التركیب ال نفاذیة واطئة عند الطاقا 10 <( ً امتصاص عالیا القریبة ، وان لها معاملIRالعالیة من الطیف المرئي و 4 cm -1 α ( وبفجوة طاقة مباشرة تزاح نحو .]Zn] 6 %1.5 بنسبة CdTe:Zn لألغشیة eV 1.48 الى eV 1.61ذ تقل من ا. الطاقات الواطئة عند التشویب ة PVD بتقنیة nm 50 الرقیقة بسمك CdTeاغشیة حضرف) Babkair(الباحث اما ا ، لتصنیع خلیة شمسی CdTe/CdS رس الخواص البصریة باستعمال مطیاف ودUV-VIS ،ذ رسم العالقة بین معامل االمتصاص ا)α ( وطاقة .]eV] 7 1.45 وحصل منها على فجوة الطاقة hالفوتون ، ودراسة تأثیر .R.Tترسیب اغشیة رقیقة من تیلیراید الكادمیوم على قواعد زجاجیة عند اما في بحثنا هذا قمنا ب تشویب بعنصر الخارصین ال الخواص التركیبیة والبصریة عن في % (5 , 4 , 3 , 2 , 1) بنسب وزنیة مختلفة Znتلدین وال )فجوة الطاقة ، ومعامل االنكسار(مثل ،طریق ایجاد معامل االمتصاص والثوابت البصریة الجانب العملي إذ قطعت الى ثالث cm3(0.1×2.6×7.6)أ، أبعادها االرضیات الزجاجیة ألمانیة المنشلتم في هذا البحث استعمت (0.1±2) وبمعدل ترسیب ،)1,2,3,4,5 ( % بالنسبZn النقیة والمشوبة بـ CdTe، وذلك لترسیب أغشیة قطع متساویة nm/secمنظومة التفریغ من نوع باستعمال )(Edwarde- 320E (5-10×3) عند ضغط mba r استعمل حویض من اذ د الى االاما بالنسبة. من حاملة االرضیات cm (10)ذو غطاء مثقب وعلى بعد Mo المولبدینیوم غشیة المشوبة فق في ،ً للتشویب بالخارصین وبأحد النسب المذكورة انفاCo-evaprorationٍاستعملت طریقة التبخیر المزدوج وفي آن واحد ,673 , 623 , 573(Kاألغشیة لمدة ساعة عند لتلدین ) Ammealimg Oven 187(حین استعمل فرن كهربائي من نوع بأستعمال الماء المقطر والكحول االثیلي عالي النقاوة لالرضیات الزجاجیة عملیات التنظیف یت وقد تم اجر.) 523 تم الفحص التركیبي لألغشیة المحضرة و . )Ultrasonic(جهاز الموجات فوق الصوتیة وذلك بأستعمال 99.99% -Cu، والباعث لألشعة السینیة من نوع XRD600(SHIMADZU Japan) :حیود األشعة السینیة من نوعباستعمال جهاز K 1.5405 و طول موجي A o . الطریقة الوزنیة لقیاس السمك لألغشیة المرسبةولقداستعملت . , K)673دنة لالغشیة غیر الملدنة والمل(T) والنفاذیة (A)ثم قیست الخواص البصریة التي تتضمن االمتصاصیة إنجلیزي (UV-Visible 1800 spectra photometer) باستعمال مطیاف نوع. ساعة كاملةمدة) 523 ,573 , 623 مجلة إبن الھیثم للعلوم الصرفة و التطبیقیة 2012 السنة 25 المجلد 1 العدد Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Science No. 1 Vol. 25 Year 2012 النفاذیة ومعامل االمتصاصتب حس ، ومن طیف االمتصاصیة،nm(1100-400)الصنع، ضمن مدى الطول الموجي .ل االنكسارمعامودراسة نوع االنتقاالت الحاصلة وحساب فجوة الطاقة و النتائج والمناقشة CdTe الغـشیة XRD الـذي یمثـل نتــائج حیـود االشـعة الـسینیة )a) 1یالحـظ مـن الـشكل ـا النقیـة قبـل التلـدین بانهـ ـــاه ــم باالتجــ ــالث قمـــ ــــك ثـــ ـــــور ] 311[، ] 220[، ] 111[تمتل ـــــب متعـــــدد التبل ا تركی ــــ ــــة لهـ ـــي ان االغــــشیة النقیـ ، هـــــذا یعنــ )Pol ycrysta l l ine (لمكعــب مـن النــوع ا)Cubic(، ـهتتفــق مــع مــا توصــل ة النتیجــ وهــذه]. 111[وباالتجــاه الـسائد الیـ .Shehab [8] , Hanaa [6] , Saha [5] ، فیوضح ان لها ثالث قمم باالتجاه % (3,1)بنسبة ) Zn( المشوبة بـCdTeالذي یمثل اغشیة ) c,b) 1اما الشكل ذلـك إلـى ىُلألغـشیة المـشوبة نـسبة الـى قمـم االغـشیة النقیـة، وقـد یعـز) 2(ولكن مع انحـراف ملحـوظ فـي موقـع القمـم . نفسه ة فـي الغـشاء، كـذلك یـشیر اإلجهاد المیكانیكي المجهري الناتج من ظروف مختلفـة مثـل الـشوائب، والعیـوب، والفراغـات الكامنـ ة باتجـاه ابق مــعZnیتنــاقص بوجـود شـوائب ] 111[طیـف الحیـود إلــى ان ارتفـاع القمــ . [5,6] البحـوث الــسابقة وهــذا ال یتطـ ) 2(ظهور قمة جدیدة عند الزاویة -ً أیضا– )c)1-4 یتبین من الشكلو o27.525 تعود الى عنصر التیلریـوم Te بـالطور Hexagonal(السداسي -s tructure ( باتجاه)وجدت قمة ضـعیفة جـدا وبـشدة كذلك، ]9[یتطابق مع البحث، وهذا )101 ً عنـد زاویـة % 5 o24.1527للمركـب تعـود ZnTe بحجـم حبیبـي ،) nm33.2( وهـذا یـدل علـى ان ذرات الـشوائب اتخـذت أثیر التلــدین فــي االغـشیة المــشوبة بنــسبة ) b,a) 2 یبــین الــشكل .مواقـع تعویــضیة فــي البنـاء التركیبــي لالغــشیة المـشوبة تـ ة حــرارة)% 3,2( ة بدرجــ ـظ بقــاء القمــم الممیـــزة الغــشیة )K)573 والملدنــ مــع تنـــاقص بالــشدة عنــد التوجـــة CdTeُ، إذ یالحــ عــن االغــشیة غیــر الملدنــة وبنــسبة التــشویب نفــسها ممــا یــدل علــى ان التلــدین یزیــل % 3 لالغـشیة المــشوبة بنــسبة ]111[ عنــد التوجــه Te والعنـصر ZnTeأیـضا لقمتــي المركــب وهنـاكً ظهــور واضــح. العیـوب التركیبیــة المتكونـة عنــد التحــضیر .غشیة غیر الملدنة نفسه مقارنة باال]101[ CdTe و CdTeیوضح طیف النفاذیة ألغشیة ف) 3( الشكل اما :Zn 5-4-3-2-1%( قبـل التلـدین لنـسب تـشویب ( CdTeالمحضرة عند درجة حرارة الغرفة، إذ یبین الشكل زیادة في النفاذیـة مـع زیـادة الطـول المـوجي، إذ أظهـرت اغـشیة :Zn ممـا یـدل علـى زیـادة %) 5( النقیـة والمـشوبة عنـد النـسبة CdTeمـن اغـشیة نفاذیـة أقـل ) 4-3-2-1%(المشوبة عند نسب التـي اظهـرت اقــل 3% نقـصان طیــف النفاذیـة لالغـشیة المـشوبة وال سـیما عنــد نـسبة ىُویمكـن أن یعـز فـي االمتـصاصیة ، طیـف )4(ل یوضح الـشكفي حین. بسبب امتصاص االضاءة بوساطة مستویات العیوب المرافقة للخارصین%) 40(نفاذیة CdTe وCdTeالنفاذیة ألغشیة :Zn (673) بعد التلدین Kًان هنالك انخفاضا في فیالحظ . نفسهاو نسب التشویب السابقة ة بدرجـة CdTeطیـف النفاذیـة الغـشیة فعنـد الطـول لألطـوال الموجیـة تحـت الحمـراء القریبـة، K 673 النقیـة والمـشوبة والملدنـ في حین تكون لالغشیة غیـر الملدنـة بحـدود %) 40(تكون النفاذیة بحدود % 4بة بنسبة لالغشیة المشو) nm)900الموجي من A من طیف االمتصاصیةtبسمك لألغشیة المحضرة αحسب معامل االمتصاص .عند الطول الموجي نفسه%) 55( [10]: المعادلة االتیة t A 303.2 ــصاص الغــشیة ) a)5 الـــشكل امــا ــر معامـــل االمتـ عنـــد الطـــول %) 4( النقیـــة والمـــشوبة بنـــسبة CdTeفیبـــین تغیـ ة حــرارة مــدة سـاعة واحـدة،) 523-573-623-673( K دالـة لدرجـة حـرارة التلــدین)nm )725المـوجي ، K300وعنـد درجـ امـا .زیـادة درجـة حـرارة التلـدین تتناقص تقریبـا بαعن االغشیة النقیة، وان % 4 لالغشیة المشوبة بنسبة αُیالحظ زیادة في مجلة إبن الھیثم للعلوم الصرفة و التطبیقیة 2012 السنة 25 المجلد 1 العدد Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Science No. 1 Vol. 25 Year 2012 عنـد الطـول K673 غیر الملدنة والملدنة عند درجة درجـة CdTe فیوضح تغیر معامل االمتصاص الغشیة) b) 5الشكل تزداد قیم معامل االمتـصاص )% 3,2,1( دالة لنسب الشوائب المضافة، فیالحظ ان عند نسب تشویب )nm )725الموجي Eg فجـوة الطاقـةت لقـد حـسب.، وهـذا یـدل علـى تـردي الخـصائص البـصریة عنـد هـذه النـسبة% 5وتنخفض بشدة عـن نـسبة opt ]11[:استنادا الى المعادلة االتیة 2/1)( OPt g Ehh   النقیـة والمـشوبة ، CdTeتأثیر التلدین بدرجات حراریة مختلفة في فجوة الطاقـة البـصریة الغـشیة )6(ذ یبین الشكل ا مـن المـستویات الموضـعیة، وكـذلك ي الفجوة البصریة بزیادة درجة حـرارة التلـدین، وهـذا یفـسر ان التلـدین یقلـلیالحظ زیادة ف إذ ان "ایـضأ یالحـظ مـن الـشكل. توسـع فجـوة الطاقـةّمـن ثـمل، ویقلل مـن العیـوب التركیبیـة ممـا یـؤدي الـى تقلـیص منطقـة الـذیو ًهنالك نقصانا واضحا في قیمة فجوة الطاقة مع زیادة إذ عـادت قیمـة فجـوة الطاقـة %) 5( نسبة الشوائب المضافة عـدا النـسبة ً ــادة االنتقـــاالت ــي زیـ ــعیة داخـــل الفجـــوة أســهمت فـ ــى تكـــوین مــستویات موضـ بالزیــادة ویمكـــن تفـــسیرها بــأن الـــشوائب أدت إلـ معامـل االنكـسار مـن حـسبولقـد [8,6].َوهـذا یتفـق مـن نتـائج البـاحثین .اإللكترونیة ومن ثم نقصان فجوة الطاقـة المحظـورة ]12:[المعادلة االتیة R R K R R n oo                  1 1 )1( 1 1 2/1 2 2 [12].معامل الخمود المحسوبة من المعادلتین االتیتین Ko االنعكاسیة وR یمثل اذ   4  K o ATR  1 (725)لتلـدین لالغـشیة النقیـة والمـشوبة عنـد الطـول المـوجي تغیر معامل االنكسار دالة لدرجـة حـرارة ا) 7(یبین الشكل nm یـزداد معامـل االنكـسار بزیـادة درجـة حـرارة التلـدین، وان ) %4( ومنه یالحظ ان االغشیة المـشوبة لنـسب تـشویب عالیـة ُیعـزا الـسبب الـى ًفیكون السلوك مغایرا وقد )% 3-2-1( اما االغشیة المشوبة بنسب واطئة Ta=523 K.عند )no(اقل قیمة لـ Packi(ان التلـدین یعمـل علـى تحـسین كثافـة الـرص ng dens i ty (والـى زیـادة فـي تحــسین التـشویب العـالييلالغـشیة ذ ا قیمـة % 4، وقـد سـجلت االغـشیة المـشوبة بنـسبة التركیب البلوري وانتظـام الـذرات اقـل قیمـة لمعامـل االنكـسار، اذ تكـون لهـ اذ تتطلـب هـذه االغـشیة اقـل فجـوة ،ه النتیجة مهمـة فـي اسـتعمال االغـشیة خالیـا شمـسیة ، وهذK 523 عند درجة تلدین7.1 .طاقة ضمن المدى المرئي واقل معامل انكسار لالشعة الساقطة االستنتاجات ــعة الــسینیة ألغــشیة ـةCdTe أظهــرت نتــائج فحوصــات األشـ %(4,3,2,1)لخارصــین بنـــسب با النقیـــة والمطعمـ ziً أنها تمتلك تركیبا متعدد البلـورات مـن نـوعnm (25±400) سمكي الغرفة ذوالمحضرة بدرجة حرارة ncblende ، وان Teلــو ، ZnTeوكذلك ظهور قمـم تعـود للمركـب ].111[عملت على تناقص شدة القمم وال سیما باتجاه Znاضافة الشوائب مجلة إبن الھیثم للعلوم الصرفة و التطبیقیة 2012 السنة 25 المجلد 1 العدد Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Science No. 1 Vol. 25 Year 2012 النقیـة والمطعمـة نفاذیـة CdTe ان الغـشیة ولـوحظ. K 673تزداد شدتها عند التلـدین بدرجـة % 3عند نسبة تشویب ًوأیضا كـذلك فـان معامـل اإلمتـصاص . ضمن المدى المرئـي ممـا تجعلهـا مالئمـة لتـصنیع الخالیـا الشمـسیة)% 40(واطئة اقل من 10ًلالغـشیة النقیـة والمـشوبة تمتلـك قیمــا عالیـة 4 cm -1 ) (α > التــي % 4 ، وان هـذه القـیم تـزداد بزیــادة التـشویب عـدا النـسبة ان االغـشیة النقیــة والمــشوبة بالــسمك المنتخــب تمتلــك فجــوة طاقــة و). α(وان التلــدین قلــل قــیم %. 3نـت اقــل مــن اغــشیة كا ٍّ ، وتتنـاقص فجــوة الطاقـة وتـزداد بتـأثیر كــل مـن التـشویب والتلــدین " ایـضابـصریة لالنتقـاالت االلكترونیـة المباشــرة المـسموحة %.4 لالغشیة المشوبة بنسبة 523K ودرجة حرارة تلدین nm 725 موجي عند طولno وان اقل قیمة لـ.على التوالي المصادر 1. Naseem , S. (1991), Chinese Phys. LETT, “ Preparation and porperties of Evaporated CdTe and All Thin Film CdTe/CdS Solar Cells”, 8(5):255. 2. Frerichs , R. ( 1947) , Phys. Rev. , “ The photo-conductivity of incomplete phosphors , 72(7): 594-601. 3. Krinitsyn , P. G. ( 2000) , Chemistry for Sustainable Development, Study of the conditions of CdTe Crysta growth , 8:167-170. 4. Kolosov, S. A.; Klevkov, Yu. V. and Plotnikov, A. F. (2004) , Semiconductors , “Electrical Properties of Fine-Grained Polycrystalline CdTe” , 38(4) :455–460. 5. Saha S. ; Pal U. ; Sanataray, B. K. and Chanduri, A. K. (1988) , Thin solid films ,The effects of annealing in CdTe thin film , 164(4):544-551 . رسالة ماجـستیر، كلیـة " Zn الرقیقة المشوبة بـCdTeالخواص االلكتروبصریة الغشیة "، )2008(ناء ابراھیم محمد ھ6. .ابن الھیثم ، جامعة بغداد/ التربیة 7. Babkair, S.S. (2010) , Charge Transport Mechanisms and Device Parameters of CdS/CdTe Solar Cells Fabricated by Thermal Evaporation, Sciences , 22 (1) : 21-33. 8. Shehab, A. A. M. (1985) , CdTe Solar Cells , M. Sc. Thesis , College of Science , University of Baghdad. 9. Chaure, N.B.; Samantilleke, A. P. ;Dharmadasa, I.M. (2003), Solar Energy Materials & Solar Cells , The effects of inclusion of iodine in CdTe thin film on material and solar cell performance, 77: 303–317 10. Pankove ,J. I. (1971), Optical Processes in Semiconductors, Prentice-Hall, New Jersey,book. 11.Li Jin ; Yang Linyu ; Jian Jikang ; Zou Hua , and Sun Yanfei , (2008) , Journal of Semiconductors , Effects of Sn-doping on morphology and optical properties Of CdTe polycrystalline films, 30:11. 12. Dresselhaus, M. S. (1998) , Optical Properties of Solids, Part II , book . مجلة إبن الھیثم للعلوم الصرفة و التطبیقیة 2012 السنة 25 المجلد 1 العدد Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Science No. 1 Vol. 25 Year 2012 CdTe:Zn و CdTe یبین قیم فجوة الطاقة الغشیة ): 1(جدول Ta(K) Pure Zn1% Zn2% Zn3% Zn4% Zn5% 300 1.62 1.61 1.595 1.59 1.585 1.59 523 1.625 1.615 1.605 1.6 1.59 1.61 573 1.635 1.625 1.61 1.605 1.595 1.624 623 1.64 1.63 1.62 1.615 1.605 1.63 673 1.645 1.64 1.625 1.62 1.615 1.64 ل التلدین: ) 1 (شكل CdTeالغشیة )a(أطیاف حیود األشعة السینیة قب Zn3% المشوبة Zn(c)%المشوبة (b)النقیة (a) الغشیة CdTe النقیة )b ( المشوبةZn 1%) c ( المشوبةZn 3% ود األشعة السینیة الغشیة :) 2( شكل K 573 الملدنة عند CdTeأطیاف حی (a) المشوبة Zn 2%) b ( المشوبةZn 3% النقیة والمشوبة قبل التلدین CdTeطیف النفاذیة ألغشیة : )3( شكل التلدین بعد النقیة والمشوبة CdTeطیف النفاذیة ألغشیة : )4( شكل مجلة إبن الھیثم للعلوم الصرفة و التطبیقیة 2012 السنة 25 المجلد 1 العدد Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Science No. 1 Vol. 25 Year 2012 مجلة إبن الھیثم للعلوم الصرفة و التطبیقیة 2012 السنة 25 المجلد 1 العدد Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Science No. 1 Vol. 25 Year 2012 The Study of Annealing and Dopping Effect of Zn on Structural and Optical Properties for CdTe Thin Films A. A.Shehab, S. M.Ali Department of Physics , College of Education Ibn Al-Haitham, University of Baghdad Received in: 21April2011,Accepted in: 25 May 2011 Abstract In this research thin films of (CdTe) have been prepared as pure and doped by Zn with different ratios (1,2,3,4,5)% at thickness (400+25)nm with deposition rate (2±0.1)nm , deposited on glass substrate at R.T. by using thermal evaporation in vacuum . All samples were annealed at temperature (523,573,623,673)K at 1h. The structural properties of all prepared thin films, doped and undoped have been studied by using XRD. The analysis reveals that the structures of the films were polycrystalline and typed cubic with a preferred orientation along (111) plane for the undoped films with (2,3)% of zinc , and shifting (2Ɵ) for doped films . The annealing films at temperature 573 K and Zn:3% show decreasing in intensity at orientation along (111) with appearing new peaks for ZnTe & Te. Transmittance spectra recorded a function of wavelength (400-1100) nm for all films in order to calculate (know) the energy gap, kind of transitions and optical constants like absorption coefficient, refractive index as a function of photon energy. It is found that the energy gap for the allowed direct transition decreases as the doping percentage increase, such that its value for allowed direct transition was (1.62) eV for pure thin films , it decreased to (1.585) eV when it doped with 4% . It is found that the annealing process increases the energy gap. Keywords: CdTe thin films , Vacuum Evaporation , XRD مجلة إبن الھیثم للعلوم الصرفة و التطبیقیة 2012 السنة 25 المجلد 1 العدد Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Science No. 1 Vol. 25 Year 2012